NAND闪存芯片产能不足，三星在西安厂扩产

​三星电子8月28日宣布，该公司计划在未来3年投资70亿美元在中国西安扩大NAND存储芯片产能，目前已有23亿美元在周一获得了管理委员会的批准。

“这笔投资旨在满足中长期日益增长的NAND闪存芯片需求，”三星称，但三星发言人拒绝披露已批准或计划中的投资将会增加多少芯片产能。7月4日，三星电子宣布计划在韩国投资186亿美元时曾表示，将会在位于西安的NAND生产基地增加一条生产线，但当时并未确定具体的投资金额和时间。

目前，三星西安厂现有第一产线在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆。若加上规划中的第二产线，预计产量将达20万片。

由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长，以及随着技术越来越复杂，投资的生产收益下降，预计三星等存储器芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。

市场研究公司IHS发布的数据，三星电子今年第二季度约占全球NAND闪存芯片营收的38.3%。IHS预计，今年的存储器行业收入将跃升32%至创纪录的1,040亿美元。三星电子表示，存储芯片市场的繁荣使得该公司在第二季度实现创纪录的利润，这一趋势有望延续到今年第三季度。

中国计划发展自己的存储芯片生产商，但分析师认为，想要与现有的厂商展开竞争，可能还需要几年时间。