DRAM连续涨价的原因是什么?
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在DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象。据业者估计,2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%,在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下,明年将出现持续增长现象。
据市场调查数据显示,2016年第四季度DRAM供不应求,带动2017年第一季度上涨30%以上。以DRAM市场整体走向来看,今年第三季度平均涨幅约7%,未来第四季度涨幅约5%-10%,虽然涨幅依旧,但是至2018年,涨幅会逐渐趋于平稳,相比2017年,涨幅不会太大。
DRAM连续一年涨幅的主要原因为以下几点,其一,近年来,小米、华为以及OPPO等国产手机开始走中高端路线。其二,数据中心的服务器对于DRAM需求加强。其三,DRAM产业制程接近极限,技术研发难度增加,导致供货短缺。
至于NAND Flash走势情况,据业者分析,在今年第四季度苹果需求的冲击下,其缺口会逐渐扩大,但是除苹果外,其余手机厂商对于NAND Flash并没有需求,所以其整体相对于第三季度会处于平衡状态。明年第一季度为传统淡季,整体价格可能会不升反降。
在芯片市场的冲击下,三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头直接霸占了90%以上的市场份额,强势控制价格增长的比率。至于国内外其余芯片企业,则“分羹”较少,处于紧追猛赶的状态,但整体来看,国内外市场短期内也是呈现欣欣向荣之景。
三星的布局
在经历Galaxy Note 7手机爆炸的影响后,三星对于产品质量以及生产过程有了严格的把控,借助于DRAM市场涨势,三星渐渐“恢复元气”。作为全球最大的DRAM芯片制造商,三星无疑是这场涨势中最大的受益者,据第二季业绩展望报告显示,其营业利润再创新高,同比增长约72%,预计未来第三季度将持续增长。
据了解,苹果、OPPO、三星以及Vivo已经承包了三星DRAM近70%的产量,而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相关印刷电路板材料短缺的问题,使得DRAM供应短缺更加严重。
对于新技术研发方面,三星似乎早有布局。据消息称,三星目前正在研发17nmDRAM,预计明年将进入量产阶段。同时,三星也展开了16nmDRAM的研发,不过最快量产时间也将在2020年,毕竟随着制程技术提升,后面的研发难度会越来越大。而且三星预测15nm将接近DRAM的物理极限,未来将很长时间开发新材质,提升制程稳定性以便于缩小线宽。
以目前市场来看,Galaxy Note 8的预定量再创历史新高,而且iPhone X所搭载的OLED屏幕均来自于三星,故三星第三季度的营收数据肯定不会太差,据消息透漏,三星将于月底公布营收的详细结果。
美光建设新厂 研发全新技术
此前,美光科技DRAM大厂台湾桃园厂区由于氮气泄露的原因,造成5000至1万片的晶圆直接报废,4万片晶圆则被视为次级品或者报废品。好在公司迅速解决并恢复正常生产运作,对于其之后的产能并没有太大的影响。
8月14日,美光在总部举办活动庆祝新厂建设成功。据悉,这个工厂主要用于美光研发全新内存以及存储技术,美光技术开发执行副总裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技术研发中心已经转入其日本广岛的制造工厂,未来将加快3D NAND以及DRAM全新技术的研发。
受惠于DRAM市场的涨潮,美光预计2017年会计年度第四季营收同比增长91%,高达61.38亿美元,且对于2017年底营收的展望远超市场预期,预估为63亿美元左右。美光执行长SanjayMehrotra表示,美光1X纳米DRAM以及64层3D NAND的良率将于今年年底达到稳定阶段,从产业目前情况来看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都将供不应求。
SK海力士强势出击
对于内存与存储器市场,SK海力士则表现的极为“豪气”,直接出资86.1亿美元进行3D NAND Flash以及DRAM扩产,似乎是市场趋势一片大好的原因,SK海力士将两厂扩产竣工的时间直接缩短至明年第四季度。
据了解,此次SK海力士扩产主要用于技术升级,产能至多提升3%-5%,相对于美光来说,这更像是一场新技术研发速度的比赛,毕竟美光刚建设新厂不久,两者建设新厂的目的似乎不谋而合。
在产品研发上,SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片,并于4月再次推出AI、VR以及自动驾驶等显示器专用的超高绘图存储器DRAM–Graphics DDR6。
在NAND Flash 产品方面,美光成功开发出72层堆叠芯片,相比于上一代48层堆叠芯片,其运行速度提升2倍,读写性能提升了20%,生产效能也增长了30%,目前已经开始量产。
总结:
在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的情况下,三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头并未满足于现状,而是不断研发全新产品。在这场角逐中,或许他们三者都是赢家。