NAND Flash价格先降后升,DRAM则持续走高
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2017 年,整体记忆体产业不论DRAM 或NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018 年可否持续荣景呢?
综合目前业界的看法,DRAM 热度可望延续,供不应求态势依旧,但NAND 部分,恐怕就不会那么乐观了,由于大厂3D NAND 良率大跃进,供给过剩问题已经提前在2017 年第四季引爆,至少2018 年上半年恐怕都不会太理想,最快2018 年第二季供需平衡,第三季再度供给吃紧,届时产业由悲转喜。
DRAM 无新增产能
首先就DRAM 部分,以大方向来说,2018 年在Fab 端并无新增产能,顶多就是制程从2X 奈米推进到1X 奈米或是1Y 奈米,带动位元的成长。市调单位集邦科技更直接表示,2018 年各DRAM 厂资本支出计画都倾向保守,新增投片量约5~7%,这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。
此外,集邦也提到,随着智能手机记忆体容量升级,以及伺服器、资料中心需求强劲,2018 年DRAM 需求将成长约20.6%,供给端方面,预估将提升19.6%,为此,就整体面来看,2018 年整体DRAM 产业供需持续吃紧无虞,也因此,2018 年各大DRAM 厂商,包括三星、SK 海力士、美光,甚至是台湾的南亚科、华邦电持续稳健获利不成问题。
但目前在DRAM 端有两点要留意与观察,第一、虽然2018 年整体DRAM 端无新增Fab 的产能出来,但是三星有意在平泽(Pyeongtaek)兴建第二座12 吋厂,SK 海力士也将在无锡兴建第二座12 吋厂,这两大厂的新厂产能最快2019 年才会开出。
只是韩媒持续报导,三星将在DRAM 端持续扩大产出的消息,不断动摇市场对DRAM 产业的信心。韩媒不断提到,三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑,二楼无尘室将近完工,这些空间将投入DRAM 的扩建,但根据记忆体业者的透露,这两层楼中,有一层是投入3D NAND 的扩产,至于另外一层楼中,有意置入月产能五万片的DRAM 产线,只是设备商也透露,三星还没下单采购设备,因此所谓新增五万片的DRAM 产能想在2018 年就开出,真的很困难。
伺服器记忆体合约价续涨
第二个观察点是,DRAM 种类繁多,包括Commodity、Specialty、Mobile、Server 等DRAM,因为彼此间有产能排挤效应,究竟在2018 年,哪几种会最缺,价格涨幅最大,市况还不明朗,因为国际三大DRAM 厂,三星、SK 海力士与美光,尚未揭露2018 年的产品组合。
但市调单位集邦科技已经提前预测,2018 年最缺的会是Server DRAM。集邦认为,资料中心的伺服器需求与日俱增,2018 年伺服器记忆体的成长率将达28.6%,续居记忆体各大产品线之首,带动价格上涨,主要原因包括第一、Intel 与AMD新伺服器平台转换推波助澜,以及第二、北美网络服务业者如Google、Amazon Web Service、Facebook 与Microsoft Azure 在新资料中心建案上的需求。
而光是2018年第一季,伺服器记忆体合约价将再上涨约5~8%,届时主流模组报价方面,一线厂32GB伺服器模组将达300 美元大关,二线厂更会高于此价格,使得2018年第一季度价格将会维持在相对高点。
2018年NAND产业怎么看?业界多估「先下后上」,而与NAND产业连动性最高的群联董事长潘健成估第一季价跌需求增,第二季报价回稳,第三季供不应求。而其实,因3D NAND良率终于快速上升,尤其64/72层3D NAND纷纷量产,并已优先应用于SSD产品线,120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起涨价,通路商开始大举抛货,报价下看30 美元。