中国崛起！中国首个自主研发的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥诞生

在近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍了合肥长鑫存储器项目的 5 年规划：2018 年 1 月一厂厂房建设完成，并开始设备安装;2018 年底量产 8Gb DDR4 工程样品;2019 年 3 季度量产 8Gb LPDDR4;2019 年底实现产能 2 万片/月;2020 年开始规划二厂建设;2021 年完成 17 纳米技术研发。王宁国表示，希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。

长鑫睿力起源于“506项目”。“506项目”起源于2016年5月6日兆易创新朱一明董事长和合肥市及经开区主要领导研讨合肥的存储器项目发展战略，因而得名。“506”项目包含合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体。项目的目标为自主发展主流 DRAM 存储器 IDM。