硅晶圆酿涨势8吋更胜12吋

随着高阶MOSFET、IGBT、高阶分离式元件等积极从6吋转进8吋晶圆制程，台积电说要盖8吋新厂，世界先进也正在寻觅并购标的，希望进一步扩大8吋晶圆产出，8吋重掺半导体矽晶圆持续酝酿涨势，估明年上半年涨幅可望达两位数的水准。

8吋半导体矽晶圆大厂合晶指出，8吋订单依旧满载，不过6吋的需求有转趋疲弱的迹象，稼动率有松动的情况。据悉，8吋重掺半导体矽晶圆明年上半年将延续涨势，涨幅可望达到10%以上，而明年上半年整体的8吋矽晶圆的涨幅约落在高个位数附近。

合晶说，目前公司因为产能有限，因此采取每半年签订合约一次，明年上半年延续涨价走势的以8吋重掺半导体矽晶圆为主，包括电源管理晶片、车用电子、高阶分离式元件、MOSFET(金氧半场效电晶体)、IGBT(绝缘栅双极电晶体)等高功率元件。

合晶上海松江厂因配合当地市政规划而于11月底关厂停产，暂时由其他厂的产能因应，近来已积极在邻近寻觅新址，规划购买旧厂并把既有的生产设备移入，也会增添新的设备，一样生产4、5吋半导体矽晶圆为主要产品。

台胜科指出，明年第1季接单与稼动率维持满载，价格也持续往上走高，第2季的接单状况要等到农历年后才会较为明朗，以目前的市场气氛来看，8吋的需求将更胜于12吋。

分离式元件大厂透露，现在观察到磊晶矽晶圆的供给情况比较没有先前这么紧张，但是就8吋抛光矽晶圆的供应而言，供应情况还是没有松动迹象，不过近来开始步入传统淡季，先前MOSFET市场出现过热、「overbooking」明显，明年第1季是否会陷入库存的疑虑，值得关注。