时隔五年 ARM再次向数据中心领域发起进攻

去年存储器半导体市场迎来前所δ有的荣景，“韩国半导体联军”创下佳绩，三星以压倒性优势排名第一，SK海力士DRAM市占率突破3成，有预测指出，今年三星与SK海力士的市占率将进一步成长。

据《韩联社》报导，市调公司DRAMeXchange于4日发表的数据指出，去年全球DRAM市场的销售额达到996亿5500万美元，比前一年(717亿2000万美元)成长39%，创下历史新高纪¼。

从企业别来看，三星电子的销售额为437亿4700万美元，市占率为43.9%，维持着压倒性的领先地λ;SK海力士也紧追在后，销售额达294亿900万美元，市占率为29.5%。若将两家企业一并来看，在全球DRAM市场占有率高达73.4%，这也代表着，全球DRAM的销售额约有4分之3是由这两家韩国企业所贡献的。

值得注意的是，SK海力士去年第四季的市占率为31.2%，和排名第三的美国美光(23.5%%)拉大了差距。反观三星电子第四季市占率虽然有41.3%，但比起前一年的46.0%有所下滑。

DRAMeXchange预测，今年整体市场的销售预估值比起去年减少17.5%达822亿4700万美元，但“韩国半导体联合军”在存储器市场的市占率还会进一步提升，其中三星电子和SK海力士的市占率会成长至44.9%、29.6%。

另一方面，去年全球NAND闪存市场销售额为632亿1000万美元，首次超过600亿美元，也创下新纪¼。三星电子的销售额为221亿900万美元，市占率为35.0%排名低一，之后依序是东芝(19.2%)、西部数据(14.9%)、美光(12.9%)、SK海力士(10.6%)等。若将三星电子和SK海力士合并来看，市占率合计为45.6%，与前一年47.2%相比有所下降。

业内相关人士表示，去年全球的NAND闪存市场有一半都是“韩国品牌”，多亏预先的设备投资和研究开发(R&D)的力量，预计短期内将持续创造技术差距。他也补充，在SK海力士继去年底NAND闪存专用生产线清州M15竣工后，接着会持续扩大投资，继DRAM之后NAND闪存领域也有可能跻升为第2名。