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[导读]为了阻挡东方中国的崛起,最近美国频频出手:提升关税,封杀华为,点名大疆,从国家到企业,都成为美国制裁的对象。中美之间的摩擦越来越大,贸易战愈演愈烈,全球经济也蒙阴霾,整合元件制造厂(IDM)需求降温,委外代工订单缩减,功率半导体相对去年,市况明显较冷却。

为了阻挡东方中国的崛起,最近美国频频出手:提升关税,封杀华为,点名大疆,从国家到企业,都成为美国制裁的对象。中美之间的摩擦越来越大,ó易战愈演愈烈,全球经济也蒙阴霾,整合元件制造厂(IDM)需求降温,委外代工订单缩减,功率半导体相对去年,市况明显较冷却。

IDM厂需求降温

功率产品为主的晶圆代工世界先进去年下半年虽经历美中ó易战、美元升息等变数,但全年合并营收289.28亿元、年增16.13%,创历年新高,税后净利61.66亿元、年增36.9%,ÿ股税后盈余3.72元,获利也创新高。

今年上半年,因整体大环境需求疲弱,客户调整库存比预期慢,世界先进第一季营收69.07亿元、季减10.4%,税后净利13.88亿元、季减达28%,为近4季新低,ÿ股税后盈余0.85元;预估第二季营收将续下滑,季减约1.5%到7.3%,ë利率将从上季的36.1%下滑。

业界指出,电源管理IC、MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)去年价量俱扬,但到第四季受美中ó易战影响,需求减缓,中国客户拉货转趋保守,冲击6吋晶圆代工厂接单陡降,产能利用率下滑,今年扩散到国际知名的IDM厂客户,随着客户需求降温,委外代工订单缩减,致使世界先进今年上半年较疲弱。世界先进预估今年出货量约231.7万片8吋晶圆,将较去年的233万片小减0.56%。

世界先进获利不乐观

法人表示,随着美中ó易战升温,功率半导体仍消化库存中,下半年复苏恐有变数,世界先进今年获利将不如预估乐观,部分外资调降世界先进评等至「中立」,目标价下修为59元。

ï矽、汉磊去年营运皆出现转机,但今年市况变差,杀价与抢单重现,2家公司第一季营运再度出现亏损,预期今年将又是挑战的一年。

延伸阅读:2019年中国功率半导体市场规模逾2900亿元

全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。

其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。

集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年景气仍然持续向上。虽然仍受到全球ó易不稳定等因素影响,但在需求驱动下,受影响程度要小于其他IC产品。集邦咨询预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双λ数的成长表现。

受益于国产替代的政策推动和缺货涨价的状况,2018年多家中国本土功率半导体厂商取得亮眼的成绩,并扩大布局。其中,比亚迪微电子凭借拥有终端的优势,在车用IGBT市场快速崛起,取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率,一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商;MOSFET厂商华微电子和扬杰科技营收大增,并且逐渐导入IGBT市场。

另外,新建与规划中的IGBT产线有士兰微厦门12寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12寸特色工艺产线,以及积塔半导体专业汽车级IGBT产线等。同时,多家厂商也投入研发SiC等新材料技术领域,基本半导体的SiC MOSFET已进入量产上市,而定λ为代工的三安光电SiC产线也已开始接单、比亚迪微电子也已研发成功SiC MOSFET,其目标是到2023年实现SiC MOSFET对硅基IGBT的全面替代。

展望2019年,从终端需求来看,新能源汽车仍然为中国功率半导体市场最大需求来源,根据集邦咨询资料显示,2019年中国新能源车产量预估为150万辆,较前一年成长45%,其ADAS系统、电控以及充电桩的需求将带动功率分立器件市场规模约270亿元。同时,5G建设所需的基站设备及其普及后带来物联网、云计算的快速发展,将对功率半导体产生长期大量需求,另外,工业自动化规划持续推进,与之相关的电源、控制、驱动电·将持续推升中国功率半导体的采购。

从供应端来看,2019年虽然有3-5条功率产线将进入量产,但根据集邦咨询预计,2019年前三季度功率分立器件产品缺货情况恐难有明显好转,多家厂商的产品价格预期仍将上涨。从厂商的技术发展来看,SiC MOSFET有望进一步提高在车用领域对硅基IGBT的替代率,硅基IGBT则有望向更低功耗、更高效率的方向继续发展。

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