赛晶投资7.5亿美元，IGBT功率半导体项目落户嘉善

7月16日，浙江嘉善举行了IGBT功率半导体项目及IGBT技术研发中心签约仪式。

IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元，总投资7.5亿美元，主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造，一期达产后预计年产值将超过20亿元。同时，项目还将在县开发区设立IGBT技术研发中心。

IGBT功率半导体项目的主要投资方为赛晶电力电子集团。据官网介绍，赛晶电力电子集团是电力电子器件供应商和系统集成商。赛晶的阳极饱和电抗器、电力电容器、IGBT功率模块产品包(IGBT、数字式IGBT驱动器、层叠母排)、电网状态监测产品，具备国际领先的技术水平和实用业绩。