三星芯片进入寒冬,DRAM 合约价提前“小涨”
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据悉,2020年第一季度DRAM合约价格预测,由原先的“大致持平”调整为“小涨”,价格正式提前翻转向上。
据集邦咨询半导体研究中心最新调查,随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬,加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电,虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响,但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。
对于三星来说,他们发布的四季度业绩指引,称运营利润将减少 34%至 60.9 亿美元;年利润减少 53%至 240 亿美元,创 2015 年最低,以及 10 年来最大降幅。此外,四季度营收下降 0.5%至 500 亿美元。
三星电子表示,其第四季度营业利润降幅将小于预期,表明内存芯片价格触底反弹的速度快于此前分析师的预期。
全球经济疲软抑制了数据中心客户的之处,内存芯片库存量上升影响了其价格,受此影响,此前持续繁荣了两年的内存芯片行业迎来寒冬,2018 年末开始,作为全世界规模最大的内存芯片制造商,三星芯片业务的经营一直处于挣扎。
不过三星并不担心,因为芯片价格已经出现了反弹的势头,因此今年外界对于该行业的情绪较为乐观,预计市场对内存芯片需求今年将会回归。
集邦咨询表示,在标准型内存方面,虽然第一季的价格仍在议定中,但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关系的不确定性下,大部分销往美国的笔电都赶在 2019 年第四季度出货,导致 2020 年第一季度的出货较为疲弱。