三星悄悄启动引入EUV光刻工艺的DRAM内存芯片研发 2020可量产

作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。

据Digitimes引述News1 Korea报道，三星悄悄启动了引入EUV(极紫外光)光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。

报道称，三星最快在2020年开始大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。

EUV光刻目前被三星、台积电、Intel等用于7nm工艺节点上，制造的普遍是AP(应用处理器)。三星曾表示，7nm LPP工艺将在今年下半年量产，明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片。

结合手头掌握的资料，高通已经确认其5G基带芯片将由三星的7nm代工。