SK海力士加速NAND芯片投入 将投资增至20万亿韩圆

根据媒体报导，韩国存储器大厂SK海力士宣布将投资20万亿韩圆(约178亿美金)于4日启用的NAND芯片厂，比原来的预算15.5万亿韩圆还要多29%。

根据《韩联社》报导，这所新的M15新产线位于清州，SK海力士从2016年12月宣布兴建，并且于2017年4月动工，并已在今日完工启用，新厂将加强韩国存储器产业中的竞争力。SK计划持续扩大这条产线，不过详细内容将会视市场状况来决定。该厂将会在2019年第1季开始生产96层NAND Flash 快闪存储器，将会有月产20万片的程度，类似于位于首尔以南80公里的利川M14生产线。

SK海力士会长崔泰源宣示，身为国家的关键企业，SK海力士将会持续维持在市场的竞争力。韩国大统领文在寅也出席了启用仪式，并在致词表示，“这对于第4次产业革命是很大的进步，期待SK在韩国的产业史上写下新的一页。”文在寅也承诺“政府会支持企业在适当时期所做的投资。”

日前有韩国媒体《Business Korea》分析，SK海力士这间M15工厂落成后，可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示，DRAM占80%的销量，NAND Flash则仅占18%，和三星电子60：40的比重来比，SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。

虽然NAND芯片因为供过于求的关系，今年的平均价格近乎砍半，美国投资暨研究机构Evercore ISI报告也看坏2019上半年NAND Flash的价格，但根据1日《Business Korea》的报导，韩国投资公司新韩投资认为，由于苹果新款的iPhone销售量增加，对于NAND Flash快闪存储器市场需求会渐渐成长，价格下滑的速度将放缓。

SK海力士在全球DRAM市场仅次于三星，不过NAND市占率却只排名第5位，次于三星电子和东芝等公司。NAND市占率排名第6的英特尔，在NAND Flash上急起直追，2015在中国大连投资55亿美元建设的新厂已于9月底投产。除此之外排行首位的三星已经在中国西安建立了第2间NAND Flash工厂，预计在2019年底前生产;而东芝在日本的工厂也预计在今年底启用。