三星欲超车台积电 称2020年将量产3纳米技术

存储器市场正面临景气反转的忧虑。日前，外资花旗银行在一份报告中表示，2019 年在 NAND Flash 方面将会降价 45%，而 DRAM 方面则会降价 30%，这样的情况至少会持续到年中。

这虽然对消费者来说是件好事，但是对存储器大厂，尤其是目前市占率排名第一的三星来说却是个警示。因此，为降低存储器景气反转所带来的冲击，三星持续强化在晶圆代工上的发展，日前更表示要超越台积电，在 2020 年量产 3 纳米技术。

根据外媒报道，日前三星晶圆代工业务负责人 Eun Seung Jung 在国际电子元件会议 (IEDM) 上表示，三星已经完成了 3 纳米制程技术的性能验证，并且正在进一步完善该制程技术的情况下，目标将是预计在 2020 年大规模量产，而这个时程也将超前台积电在 2022 年正式量产 3 纳米制程技术的计划。

事实上，在当前全球晶圆代工市场上，台积电已是一家独大，占有全球晶圆代工市场大约 60% 的市占率。不仅营收远超其他厂商，而且在当前最先进的 7 纳米制程节点上，几乎垄断了目前所有芯片代工订单。

根据台积电早前透露，2018 年流片了 50 多个 7纳米芯片，2019 年还有 100 多个 7 纳米及加强版 7 纳米 + 制程的订单。因此，竞争对手三星要在 7 纳米制程的节点追赶台积点难度很高，所以将目光放在了更先进的 3 纳米制程节点上。

过去，在晶圆代工方面，三星之前也是有过领先历史。在包括 32 纳米、14纳米及 10 纳米等制程节点上都率先量产。不过，7 纳米制程节点上，三星则是进度落后台积电。而且，连自家的 Exynos 9820 处理器也没有使用上内含 EUV 技术的 7 纳米制程，采用的还是 10 纳米制程所改进的 8 纳米 LPP 制程。虽然，在名称上听起来跟 7 纳米制程差不多，但实际上相较华为麒麟 980、苹果 A12及高通骁龙 855 等新一代旗舰型的处理器，仍落后一世代的技术。

另外，在当前存储器市场面临降价的大环境下，三星在半导体业务上的重点也开始倾向发展晶圆代工。2017 年，三星晶圆代工业务营收为 46 亿美元，而目前三星的目标是将营收增加一倍，也就是到 100 亿美元以上、不过，要实现这个目标，三星除了斥资 56 亿美元兴建新的晶圆厂之外，还要在技术上加把劲，赶超台积电。

只是，说来容易，做起来恐怕很难。因为在 3 纳米技术的节点上，台积电除了准备投资新台币 6,000 亿元(约 200 亿美元)的资金建立新厂房与技术开发之外，目前更加紧与各知识产权厂商的合作，建立生态体系。

因此，虽然台积电计划在 2020 年建厂，2021 年完成设备安装，2022 年才能进一步量产，落后于三星预计在 2020 年量产的时程。但是，在整体生态体系的完整建立下，加上制程技术并非先推出者就有优势，届时还必须视最后各自的良率表现。因此，三星 3 纳米制程是否真能超越台积电，恐怕还有很多的变数。