力旺 NeoFuse 技术成功导入华邦电25nm DRAM制程

IP公司力旺电子25日宣布其一次可编程(OTP)存储器硅智财NeoFuse成功导入华邦电25纳米DRAM制程平台，且即将进入量产阶段，有助于客户在车用、工业、5G通信等新的市场应用取得先机。

NeoFuse硅智财使DRAM产品在封装前的芯片测试及封装后的产品测试均可进行修补，达到多次修补(Multi-Repair)的目的。与传统雷射调校(Laser Trimming)相比，不仅降低调校成本与时间，并可使制造测试流程更加便利。尤其是在芯片封装后仍可进行修补(Repair)，大大提升多芯片封装(MCP)产品的生产良率。

可兼容于DRAM制程平台的NeoFuse技术提供优于一般工作范围的操作电压区间，有利客户在产品设计上具备弹性并有效降低功耗。此外，NeoFuse的高编程良率，只需一次编程便可将资料成功写入，可大幅降低操作复杂性和测试成本。

力旺业务发展中心副总何明洲表示，力旺硅智财解决方案已成功地导入各类型的芯片应用。与华邦电共同合作，将力旺的NeoFuse导入25纳米DRAM制程，将使整体产品测试更加灵活，更有效率地提供符合高端客户与应用需求的产品。

力旺与华邦电对双方来说均是重要里程碑，除现阶段在25纳米DRAM制程的合作外，未来更进一步携手进行NeoFuse在二代DRAM制程的开发计划，预计在不久后即可完成布局。