瑞萨发布首款嵌入式闪存技术

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术，针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂商，采用该技术的首款产品预计将于2012年秋季开始供应。

瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS（金属氮氧硅）技术方面，拥有丰富的经验且广受好评。在2007年，瑞萨电子便成为第一家推出90nm汽车用闪存MCU产品的厂商。

瑞萨电子闪存MONOS技术为可扩充的技术，不仅可靠性高且具备高效能。40nm闪存测试组件的评估结果，已证明其在三个重要的参数（数据保存、程序／擦写周期耐受性及程序设计时间）方面，均能成功做到优异的特性表现。40nm制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯接口。

瑞萨电子40nm闪存IP保证数据可保存20年，并可在最高170℃结合温度下进行读取。此外，程序代码闪存支持120 MHz读取速度，而数据闪存即使在125,000次程序／擦写周期后，仍可达到业界领先的20年超长数据保存时间。