存储器发展太快,都缺货了
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全球存储器龙头大厂针对3D NAND Flash开始全力强化其战力,包括韩系龙头的三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系东芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特尔(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生产,熟悉后段封测业者表示,估计2017年第3季NAND Flash供需紧绷市况可望稍微缓解,价格涨势回稳,而进入3D NAND时代后,存储器封测业者中,又以力成最为受惠。
由于2017年存储器大厂从2D NAND转换到3D NAND,良率有所考验,2D NAND既有产能则被占据,加上市场上需求不坠,供给减少需求续增,造成整体NAND Flash价格上涨、供需紧张局面,不过半导体相关业者已经表示估计韩系业者在2017年下半陆续量产,三星以64层3D NAND、SK海力士更以72层3D NAND力求领先业界。
而与台系存储器相关供应体系业者合作关系良好的美系美光,预计投入研发生产64层3D NAND,2017年第2季开始量产,2017年下半更可望放量生产,日系东芝也锁定64层3D NAND Flash产品大力投入。
而观察几大存储器原厂动向,台系大厂力成将成为后段封测代工的大赢家,2017年下半营运备受市场期待。主因系东芝持续扩大3D NAND产能,力成获认证通过,第1季开始接单量产。美系大厂英特尔大连厂2016年底量产3D NAND,2017年下半会再量产新一代3D XPoint存储器(NVM非挥发性存储器,效能大胜于NAND Flash,目前英特尔仅推出第一款采用3D Xpoint之固态硬碟),力成仍有机会成为主要后段封测代工厂,加上美光的3D NAND订单,力成2017年逐季成长备受期待。董事长蔡笃恭日前也直接表示,第2季优于第1季,力成主力客户都直接为半导体业者,也不会受到缺货涨价等问题影响太多。
对于封测业者来说,高阶产品测试时间拉长,有利于封测业者营运,另外,影响封测业者营运增温也必须端看订单数量,3D NAND或是英特尔3D Xpoint产品,具有相当难度,拉长测试时间对于力成等后段业者有利。
熟悉存储器业者表示,估计2017年上半不管是DRAM、NAND Flash缺货涨价态势还会持续,但是缺货也造成二线业者营运有压力,预计市场到了第3季随着国际大厂陆续放量生产3D NAND,整体NAND Flash涨价态势稍微趋缓,产业供需紧张可望稍微调整脚步。