EUV或将决定半导体产业方向

近日，TRUMPF公司CTO及股东Peter Leibinger在谈到令人着迷的激光创新时重点提及极紫外光刻，也就是我们常说的EUV。他认为，EUV令人着迷的原因是其极富挑战性及对世界的重要影响。

Peter Leibinger

“如果我们无法实现EUV突破，摩尔定律将失效” Peter Leibinger表示：“其影响范围不仅仅是芯片行业，智能手机产业乃至整个电子装备产业都将改变运作方式。”

什么是EUV?

极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)，常称作EUV光刻，它以波长为10^-14nm的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的软x 射线。

在半导体芯片及集成电路制造领域，目前主要采用193nm浸没光刻技术对晶片上的精细特征进行图案化。但是，193nm浸没式光刻在80nm间距(40nm半间距)下达到极限。为此，从22nm / 20nm开始，芯片制造商开始使用193nm浸没光刻以及各种多种图案化技术。为了减小超过40nm的间距，多个图案化涉及在晶圆厂中使用几个光刻，蚀刻和沉积步骤的过程。

随之而来的就是制程成本及周期时间的增长。为了解决这些问题，芯片厂商开始将目光转向EUV光刻。

相对于193nm浸没式光刻，EUV光刻可以提供更高的k1，在提供高分辨率的同时拥有较大的工艺窗口，从而减少光刻工艺复杂性。

正式基于这些优势，EUV吸引了芯片制造厂商及设备厂商的广泛关注。三星公司表示，接下来的7nm工艺将采用EUV光刻。在英特尔方面，虽然还没有明确EUV光刻导入时间，但是也将其作为未来重要制程技术之一。

在产生极紫外光的各种光刻工具里，激光器发挥重要作用。为此，TRUMPF公司在EUV领域重点投入。

与ASML公司建立合作关系

2015年ASML向TRUMPF公司订购了15台EUV光刻工具，而ASML则是全球EUV光刻领域领导者。TRUMPF公司也表示将积极布局极紫外激光器。

此外，TRUMPF公司也投资7000万欧元在德国迪琴根建设一座占地34000平方米的工厂，主要用于生产极紫外光刻所需要的激光器产品。对于接下来即将出现的EUV订单，TRUMPF公司充满信心。

而ASML公司也预计其客户将在2018至2019年后，开始将EUV光刻技术使用在芯片量产上。因此，在2020年前，第一批搭载以EUV光刻技术生产的芯片的电子装备将上市。实际上，ASML公司接到的未出货订单已经高达21台。

另外，在柔性平板显示屏制造中紫外激光器应用需求也将进一步增加，这些都是TRUMPF公司对于EUV重点投资的原因。

收购Access Laser公司完善布局

近日，通快公司宣布收购Access Laser公司85%股份。Access Laser公司主要生产高精密低功率CO2激光器用于极紫外光刻(EUV)，这也是通快公司主要的投资方向之一。作为光源，该CO2激光器和通快激光放大器共同部署于EUV系统。通快公司表示，通过此次收购将整合EUV技术供应链领域关键成员。

通快公司CTO及股东Peter Leibinger表示：“Access Laser是我们EUV业务的核心伙伴，一家富有创新力的激光企业。此次收购之后，两家公司将更加紧密地合作以推进EUV技术发展，服务更多的应用及客户。”

经过多年的持续发展，EUV技术工艺逐渐成熟，这为公司销售带来很大促进作用。Access Laser创始人及董事长张永方表示：“Access Laser一直富有创新精神。此次在EUV技术领域的合作，成功展现了Access Laser和TRUMPF两家公司的协作关系。”

成立于1999年，Access Laser在美国和中国拥有超过60名员工。其产品包括输出功率在10mW到50W之间，峰值功率高达1KW的精密激光器，应用于医学、电子及科研领域。此次收购价格，暂未对外公布。