台积电以16nm制程取得压倒性胜利

 日前，全球首颗以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)的ARM架构网络芯片成果产出，这是由台积电帮助海思半导体双方合作后的成果。根据设备厂透露，这个成果表明了台积电的16纳米技术在面对英特尔以及三星的强力压力下，已取得压倒性的胜利。

此外，台积电也正式向英特尔宣战，目标是二年内在10纳米晶体管技术追平英特尔，届时在芯片闸密度及金属层连结等二要项都超越英特尔，将让台积电称冠全球，并奠定全球晶圆代工不可撼动的地位。

台积电的这项成就，是昨天出席台积电高雄气爆感恩与祝福餐会的半导体设备厂所透露，针对台积电宣布全球首颗16纳米产品完成产品设计(tape-out)后，点出台积电在16纳米FinFET的重要成果。

不愿具名的设备商指出，台积电为海思成功产出的全球首颗以16纳米生产、功能完备的网通处理器，等于宣告海思具备可以提供自家集团华为的核心处理器。该晶片是以ARMv8架构为基础的32核心ARM Cortex-A57网络芯片，运算速度可达2.6GHz。

华为目前是向英特尔采购以22纳米制程的网络芯片，台积电与海思的合作，也代表中国大陆已具备自主生产高阶网络芯片的地位，对英特尔带来一定程度的威胁。

同时根据设备业者消息，台积电16奈米FinFET Plus制程也进入试投片(try run)先前作业阶段，可望提前至第4季试产，主要客户除了绘图晶片厂英伟达(NVIDIA)、FPGA厂商赛灵思(Xilinx)、手机芯片厂商高通外，众所瞩目的苹果新款应用处理器也将试投片清单中。

对台积电而言，台积电也用实例，向英特尔证明台积电16纳米FinFET制程，并未如先前英特尔唱衰在芯片闸密度比英特尔还低30%，台积电不但在20纳米就已超越英特尔，16纳米FinFET更大幅领先。

此外，面对三星先前一直强调16纳米FinFET远远领先台积电，台积电率先提出产出成功案例，回击三星的口水战，等于左打英特尔，右踢三星，台积电有信心在16纳米FinFET会取得压倒性胜利。

相较于台积电的28纳米高效能行动运算(28HPM)制程，16纳米FinFET制程的晶片闸密度增加两倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。

台积电的16纳米FinFET制程早于去年11月即完成所有可靠性验证，良率表现优异，如今进入试产阶段，为台积电与客户的产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。

半导体人士强调，半导体评断技术实力，看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度，后二者台积电都已超越英特尔，一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔，台积电将可正式跃居全球半导体新霸主地位，为台湾缔造新的历史地位。