新能源的发展将进一步加速，功率市场大有潜力

　　我们认为，除非经济危机再次来袭，否则，市场的强大需求将在2011年继续，尤其是新能源、工业以及汽车市场等。所以，无论是增长率、出货量还是供给平衡，都将比2010年更强势。

　　市场的规模将取决于多个方面，比如宏观经济状况、市场增速、相关企业的发展等。由于经济复苏力度的加大以及市场需求的总体上升，再加上不断提高的电力消耗对能效要求的日趋严格，英飞凌相信功率市场的发展大有潜力，将远远超过2010年的态势。

　　发展迅速的亚洲市场将继续占据我们收入的重要部分，尤以中国和印度居先。英飞凌也将继续拓展在亚洲的业务，抓住中国政府大力投资于基础设施的契机，在中国的新能源等市场抓住商机。我们预计，2011年，新能源的发展将进一步加速，尤其是风能和太阳能。

　　英飞凌副总裁兼执行董事尹怀鹿David Yin

　　工业市场的潜力不可小觑。英飞凌是全球功率半导体和模块市场排名第一的企业，功率产品为公司创造了约75%的利润来源。电力是能源传输和使用最高效和最安全的形式之一。功率半导体在提高整个电力供应链（从发电、输配电到最后的用电）的能效方面发挥着至关重要的作用。功率半导体可提高电子设备的电源能效。在可再生能源领域，它们在将风电和太阳能电力接入电网以及减少输电损耗方面，都发挥了极其重要的作用。随着节能的话题日益提上议程，相信功率半导体的市场机会也将无穷大。

　　汽车电子也是我们非常专注的领域，随着中国继续成为全球汽车最大的单一国际市场，对半导体的需求持续加大，作为全球最大的汽车半导体供应商，我们将继续扩大在传统汽车电子领域的支持，同时，更加关注一些市场的热点，尤其是新能源汽车领域的核心部件，比如电动汽车的驱动、电池管理、车载充电等等，都将给我们带来想象丰富的市场空间．我们相信我们会在这些领域继续我们的领头羊角色。

　　2011年，英飞凌将继续专注于三个领域：高能效、移动性和安全性，安全芯片、汽车、新能源是我们的重点目标市场。目前，英飞凌拥有功率半导体、功率模块、模拟IC、传感器、微控制器、芯片卡和安全IC等完善产品，在汽车、电源、芯片卡等目标市场排名靠前，并相信这些市场将在2011年一如既往为公司带来市场机会。

　　英飞凌有用于风能和太阳能的先进产品，包括CoolMOS、SiC二极管、分立IGBT、IGBT模块以及完善的逆变器产品的，可以抓住这两类新能源的发展契机。

　　在家电、开关电源（SMPS）和照明领域，向更高的能源效率发展以降低能源消耗的趋势非常明显。英飞凌可提供相关产品和解决方案支持客户实现最高的能源效率，例如：SMPS P90+认证、LED T8灯管。

　　在汽车行业，提高燃料效率和降低排放将继续成为市场的主流。新能源汽车也将异军突起。事实上，汽车中所采用到的各种被动元件和功率模块都可以通过提高性能来推动节能减排。英飞凌的HybridPACK1和HybridPACK2的IGBT模块就是专为节能减排的HEV和EV而开发。

　　此外，在安全领域，我们预计电子ID证件的增长将继续，比如电子护照，带芯片的身份证件等。我们也认为，越来越多的证件，如驾照以及社会保障卡等，都将内置安全芯片。

　　对中国系统制造商而言，2011年将面临的最大技术挑战是如何保证高复杂系统的可靠性和实现更高的能效。特别在汽车领域，安全和质量是严酷的考验，尤其是在新的应用领域，如何能在严酷的条件下保证在十年、十五年以上的可靠工作。比如汽车本身所带来的大范围温度变化（从零下四十度到零上一百五十度），由路面颠簸所带来的强烈机械震动，复杂混乱的电子干扰等等。在汽车动力引擎方面，由于汽车系统复杂度越来越高，对于功率驱动和主控芯片都提出更高要求。我们会坚持质量第一的信念，把最可靠的器件和系统带到中国。

　　工业领域的产品应用也十分广泛，从10伏以上到1000千伏以上，1安培以上到100安培以上，简单控制到复杂控制，如4瓦LED灯泡到6500千伏牵引系统。要为这么广泛的应用提供高能源效率解决方案，需要一个广泛的产品组合，以为各项应用提供性价比最佳的产品，同时必须掌握包括MCU、MOSFET、IGBT和模块等多种技术。

　　目前在汽车、工业和芯片卡市场，英飞凌是排名第一的龙头企业。我们完善的产品线可以为能源效率、移动性和安全性市场的快速发展提供极大的推动作用。

　　为了应对上述汽车电子系统的挑战，英飞凌开发了汽车级的IGBT模块。这些汽车专用的IGBT模块充分考虑了以上的技术挑战，在设计和生产时作出了充足的保护安排，在认证和测试时也进行了全面的考虑，比如，抗震动能力，我们对汽车级模块会以五倍重力加速度三十小时来做考验，而工业级器件一般仅做两倍重力加速度两小时的测试；还有温度冲击测试，即在零下四十度到零上一百五十度之间做快速的循环变化，汽车级我们会做一千次，而工业级仅做五十次，这个指标反映器件未来的寿命。除器件之外，为更好地帮助大家的开发，我们在国内也推出相关的参考设计，相信这些参考设计能帮助大家缩短开发周期。

　　在功率电子领域，主要的驱动力是提高能效和功率密度，比如降低导通电阻和开关损耗。 在高压市场版块，我们在碳化硅技术方面的发展十分先进，已经进行了多年的量产。英飞凌的JFET和MOSFET也处于产品开发阶段，第一种类型将在接下来两三年入市。 而在低压领域，我们正在开发GaN类型的产品，以降低开关成本。

　　封装技术也是我们实现差异化的一个重要方面。依靠.XT这种新的IGBT模块连接技术，我们进行了一系列创新。比如芯片前端和后端的压焊连接加强，及在流程中利用扩散锡焊的方法等。.XT技术将IGBT模块的使用寿命提高10%，这对于如商用车以及风能发电站等强大应用来说尤其重要。