英特尔和美光发布20nm工艺的128Gbit MLC NAND闪存

通过20nm工艺，在单枚芯片上实现128Gbit。

　　美国英特尔和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（当地时间）发布了通过20nm级工艺技术制造的128Gbit MLC（2bit/单元）NAND闪存。美光科技NAND解决方案部门市场营销总监Kevin Kilbuck表示，“单枚芯片实现128Gbit在全球尚属首次”。现已开始向特定客户样品供货，将在2012年1月向普通客户样品供货，2012年上半年开始量产。

　　此次的20nm级工艺与原来同样采用二维构造的浮栅型单元，不过为了支持微细化进行了改进。具体情况是，除了在控制栅和浮游栅之间的绝缘膜（IPD）中导入high-k膜外，还在控制栅中采用了金属材料。由此可减小浮游栅厚度并实现平坦化，“可以抑制相邻单元间的干扰”（Kilbuck）。

　　众所周知，一般来说NAND闪存为了确保控制栅与浮游栅的电容耦合（Capacity Coupling）比，大多会加大浮游栅的厚度使其实现立体化，而利用high-k/金属栅极的话，则可以减小浮游栅厚度并实现平坦化。美光科技将此次的技术称为“Planar Cell”。

　　此次的128Gbit产品符合333M传输/秒的ONFI（Open NAND Flash Interface）3.0规格，可用于平板终端、智能手机和SSD等。将128Gbit产品层叠8层后集成在单个封装中的1Tbit（128GB）产品，将在2012年第一季度样品供货、2012年中期量产。层叠的芯片采用引线键合连接。

　　在128Gbit产品之前，美光科技还将制造采用20nm工艺的64Gbit产品。64Gbit产品已开始样品供货，将从本月（2011年12月）开始量产。另外，生产将在英特尔和美光科技的合资生产公司——美国IM Flash Technologies的Lehi工厂（美国爱达荷州）等进行。技术熟练度得到提高后，将把技术移交给新加坡工厂。

20nm工艺采用二维单元。关于三维单元，目前正在研发，美光科技没有透露引进时间和技术的详细情况，不过这里展示的照片就是由该公司制作的原型产品。

　　此次，美光科技就SSD的市场动向进行了介绍。笔记本电脑用“客户端SSD”的全球市场规模，在2014年将从2011年的约25亿美元提高至70亿美元。美光科技在该客户端SSD市场上的份额目前约为10％。

　　据美光科技介绍，服务器及存储器用“企业SSD”的全球市场规模在2011年还不到10亿美元，2014年将发展到30亿美元以上。美光科技在这个市场上的份额目前在5％以下。

　　美光科技2010年刚刚涉足SSD市场，产品线还比较少。今后计划向客户端SSD和企业SSD这两个市场，提供种类丰富的SSD产品。此次美光科技还展示了具体的发展蓝图。将通过积极的产品拓展，“力争扩大在SSD市场上的份额”（Kilbuck）。