飞兆半导体推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品

21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。

SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以两种产品系列推出，这些MOSFET的输出电容具有较低的存储电能(Eoss)，可提高轻负载条件下的效率，另外所提供的体二极管稳定性一流，可提高谐振转换器中系统的可靠性。

这些MOSFET利用先进的电荷平衡技术，导通电阻极低，并且具有较低的栅极电荷(Qg)性能，可实现较低的品质因数(FOM)。 这些器件集成了某些特性，其中包括可极大降低栅极振荡并提高系统整体性能的栅极电阻(Rg)，从而在简化设计中减少了元器件数目，实现了效率和性价比更高的设计。

优势与特点：

SuperFET II MOSFET

· 开关速度更快，可最大限度提高系统效率

· 功率密度更高

SuperFET II MOSFET Easy-Drive

· 易于设计和使用

· 开关性能得到优化

· 电磁干扰(EMI)噪声低

· 异常情况下能可靠运行

封装和报价信息(订购1,000个，美元)

按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内

飞兆半导体在电源管理应用MOSFET产品方面具有领先地位，其丰富的分立式和集成式元器件产品系列，几乎可满足所有电源供电和电源转换的需求。 除了一流的产品之外，飞兆半导体还提供区域设计专门技术以及在线设计工具，以便更好地应对制造商在设计中所面临的挑战。