三菱电机在PCIM亚洲展2015推介九款功率器件

三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题，携带九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2015(展位号4A08)中隆重亮相。

今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：工业传动、光伏发电、变频家电、轨道牵引及电动汽车，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。

工业及光伏发电市场

针对工业光伏逆变器市场的需要，三菱电机将展出四款新型功率模块，包括第7代IGBT模块、DIPIPM+模块、4in1 T型三电平逆变器用IGBT模块及1in1三电平逆变器用IGBT模块。

这次展出的第7代IGBT模块，特别适用于通用变频器。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流100A至1000A;采用预涂热界面材料(TIM)，与传统硅脂相比，模块与散热器的接触热阻降低 50%。它继承现有的统一封装(NX)和传统封装(A/NF/MPD)，适应不同的结构设计需求;NX封装具有焊接方式和压接方式两种控制端子。

整流逆变制动一体化模块DIPIPM+则完整地集成整流桥、逆变桥、制动单元以及相应的驱动保护电路。 它采用第7代CSTBTTM硅片;提供短路保护和欠压保护;内置自举二极管; 提供LVIC温度模拟量输出功能;额定电流覆盖50A/600V和5~35A/1200V。采用该款模块设计通用变频器，可以最大程度地简化布线设计，缩小基板面积，缩短开发周期;同时还可以降低布线电感及滤波器成本，使噪声设计变得简单。

4in1 T型三电平逆变器用IGBT模块, 是专门为提高光伏发电效率而开发的400A模块， 半桥采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流开关采用第7代650V IGBT硅片，损耗低、允许结温高达175℃;内部杂散电感小，正负端子之间为32nH、正零端子之间为和零负端子之间均27nH;绝缘耐压高达 4000Vrms/1min;更采用了易于并联的封装结构。

在1in1三电平逆变器用IGBT模块中，1200V级和1700V级均采用第6代IGBT硅片，实现更低损耗，方便客户根据不同需要构建I型或者T型三电平拓扑;模块内部杂散电感小，一单元模块为8nH，两单元模块为12nH。绝缘耐压高达4000Vrms/1min，结温最高可达175℃。

三菱电机大中国区半导体总经理四个所大亮先生称：“三菱电机承持可持续发展信念，不断研发高性能、高可靠性及小型化的功率器件，来满足电力电子市场的需要。对于功率器件市场的前景，我们抱持十分乐观的态度，随着中国政府加大力度治理环境，必将给新能源利用产业带来更大的发展空间。”

变频家电市场

对于变频家电应用，三菱电机这次特别推介两款产品，分别为SJMOS DIPIPMTM模块与专为变频冰箱及变频风机设计的SLIMDIP模块。

SJMOS DIPIPMTM模块采用IGBT和SJMOS并联技术，达至同时优化小电流段和大电流段的损耗，封装和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模块。

SLIMDIP则采用第3代RC-IGBT技术，集成短路保护和欠压保护，内置自举二极管(和限流电阻)，同时提供LVIC温度模拟量输出版本和过温保护版本，封装面积比超小型DIPIPMTM缩小达30%。

轨道牵引及电动汽车驱动市场

在PCIM 2015亚洲展上，三菱电机为轨道牵引领域带来两款新的功率模块，分别为X系列HVIGBT模块及下一代两单元HVIGBT模块，可应用于牵引变流器及直流输电变流子模块;而J1系列车用IGBT模块则适用于电动汽车驱动器。

X系列是最新一代HVIGBT模块，进一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等级的额定电流;使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技术，实现更低饱和压降和开关损耗。它同时采用LNFLR技术，实现低热阻;并有更宽的安全工作区。针对电力传输应用而开发的 6500V/1000A单管HVIGBT模块已率先发布。

至于下一代两单元HVIGBT模块，将提供三个电压等级3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A，均采用全新封装，实现更低的杂散电感及更易于并联，其绝缘耐压达10.4kVrms/1min。

J1系列车用IGBT模块专为电动汽车驱动器设计，是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模块。它采用第7代IGBT硅片技术及高可靠性的DLB(直接主端子绑定)技术，以及基于硅片的温度和电流检测技术;与传统的结构相比，热阻降低40%，安装面积减小40%。三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持，以方便客户快速应用该模块实现车用逆变器的设计。