电源
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八种电路图让你了解三极管基础功能
本文为初学者收集整理了以下关于三极管的8款电路实例图片，图中清晰的展示了三极管的基本功能，希望能够使初学者了解三极管的截止特性及其使用方法。低边开关高边开关基极电
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55 MHz至15 GHz、单芯片频率合成器提供低相位噪声和杂散性能
为了支持航空航天和防务、无线基础设施、微波点对点链路、测试与测量以及卫星终端等多种应用，ADI公司开发了一款集成VCO的宽带频率合成器，提供出色的性能和灵活性。ADF5610采用小数N分频架构，可产生57 MHz至14.6 GHz频率并实现单芯片频率合成器的最低相位噪声性能。与使用多个窄带、GaAs VCO和PLL的替代解决方案相比，ADF5610的功耗低50%，实现了更小尺寸并提供更简单的板图设计，可降低物料清单成本并缩短产品上市时间。
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基于TS-900的PXI半导体测试系统解决方案
半导体测试行业现状电子行业正处于不断的压力下必须降低其制造成本。上市时间给半导体制造商很大的压力，在新产品投入市场后的很短时间内，利润是最高的，随后，由于竞争者
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常用EMC前级电路设计经验分享
大家都知道，EMC 描述的是产品两个方面的性能，即电磁发射/干扰EME和电磁抗扰EMS。EME中又包含传导和辐射;而EMS中又包含静电、脉冲群、浪涌等。本文将从EMS中的浪涌抗扰度的
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如何设计压电MEMS超声波换能器产品
本文为OnScale与Mentor合作推出，由行业专家撰写，文章详细介绍了压电MEMS超声波换能器产品的设计过程，包括传感器的仿真、设计以及它与整个系统的集成。了解系统我们正在开
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基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计
功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、无二次击穿现象和
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TDK铝电解电容器: 大电流能力的紧凑型单端引线式电容器系列
TDK公司(东京证券交易所代码：6762)开发出新系列爱普科斯(EPCOS)单端引线式铝电解电容器B41897*系列。该系列电容器尺寸非常紧凑，具有大CV(电容值)和高纹波电流能力，额定
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用15个为什么？详解MOS器件的重要特性
一、为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降?【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的栅极
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Power Integrations推出全新PrimePACK 3+即插即用型门极驱动器，助您加快开发速度并增强稳定性
中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的领导者Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)近日推出全新即插即用型门极驱动器，新产品可与英飞凌的PrimePACK™3+和富士电机同类的IGBT模块配合使用，为两电平和三电平应用提供方案。SCALE-2™ 2SP0430T2XX门极驱动板适合工业、牵引、UPS和可再生能源应用，并且可为1200 V和1700 V IGBT模块提供加强绝缘。2SP0430T2XX产品系列集成了众多安全特性，例如欠压保护(UVLO)、短路保
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IGBT开通过程分析(三)
杂散电感对电流上升阶段Vce的影响感性负载双脉冲测试电路如下图： 负载电感足够大，在开通过程中，负载电感的电流大小基本不变。理想条件下，续流二极管承受反向电压时，
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IGBT开通过程分析(二)
米勒平台过程栅极电压在上升到一定值后，会有一个栅极电压维持水平的阶段，这个电压称之为密勒平台电压。由上面分析可知，当栅极电压大于阈值电压， IGBT 开始通过正向电流
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电阻式应变片电桥压力传感器的说明与应用解析介绍
1. 电阻式应变片电桥压力传感器工作原理电阻式应变式压力传感器是由电阻应变片组成的测量电路和弹性敏感元件组合起来的传感器。当弹性敏感元件受到外界压力作用时，将产生应
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如何使用带有模拟接地层和功率接地层的开关稳压器？
如何使用带有模拟接地层(AGND)和功率接地层(PGND)的开关稳压器?这是许多开发人员在设计开关电源时会问的一个问题。一些开发人员已习惯于处理数字接地层和模拟接地层;然而，
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IGBT开通过程分析(一)
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作
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什么是MOSFET
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)
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