日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA4
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极
下一代建筑和装饰照明通过适当组合红、绿、蓝LED的输出能够获得更全面的色彩。在这种高亮度、多LED串联的应用中,典型导通压降可能达到22V至36V,吸收电流为1A至2A。图1所示LED驱动器能够为多个LED串联的模块提供
IGBT以其输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套高精度的IGBT导通延迟时间的测量系统,所测时间间隔通过液晶显示器直接读取,是一套较为理想的测量方案。
引言 二十一世纪的头一个十年就快悄悄过去了,但人们所热望的电气交通时代却并没有如期而至。在诸多由政府主导、企业和研究机构积极参与的电动车计划如PNGV、Freedom CAR 、PREDIT111在轰隆的引擎声中落幕时人们开
作为一种为通用照明省电的方法,LED 的使用日益普及,而高效率驱动 LED 的方法也已变得必不可少。例如,Lumileds 公司的 Luxeon 器件带来了照明效果或房间照明。向几个 LED 供电也许只需要一个限流电阻器,但照
LED照明与传统卤素低压照明相比具有许多优势:(1)光源比较集中,1 W照明所获得的亮度等同于十几瓦卤素灯的亮度,因此非常节能;(2)LED灯的寿命比卤素灯长,一般可达几万乃至十万小时;(3)LED的结构简单,抗震性能好
0 引言 活塞环的表面电镀一直是使用较多的一种工艺,厂生产的高频开关电源和分级式可控硅整流器在全国各行业电镀中有广泛的应用,针对一些技术问题谈几点注意事项。 1 关于功率因素问题 可控硅整流器
Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)推出Si345x系列,此为业界集成度最高且最为省电的四通道以太网供电(PoE)供电设备(PSE)控制器,可支持四个独立的PoE (IEEE 802.3af)及PoE+(IEEE 802.3at),Si345x控制器提供
本文主要介绍了有源功率因数校正(APFC)的工作原理、电路分类。并对在国内得到广泛应用的UC3854集成电路的典型应用电路、工作原理做了介绍、分析。
针对串联谐振逆变器频率提高和功率调节难的问题,提出了新型分时一相位复合控制策略,采用逆变开关的分时段控制来提高频率,通过改变电压电流的相位差来调节功率。在系统建模和理论分析的基础上,分析电路的结构和工作原理,并对其进行相关的计算机仿真分析,给出了仿真波形。结果表明,该控制方法结构简单、控制方便,功率调节容易,可以实现基于时间分割的倍频控制,有效地提高了电源的频率,具有很好的应用前景。
目前高频感应加热电源的输出功率调整主要是通过改变逆变器的输出频率或改变逆变器的输入直流电压方式来实现的,这种方法开关损耗大。该设计采用CPLD实现一种脉冲均匀密度的功率调节式100 kHz串联谐振逆变电源,在逆变桥进行功率调节,弥补了这一缺点。以往脉冲密度调节方式的实现主要通过计数器等模拟电路实现,该设计采用CPLD实现,具有控制电路简单,可靠性高等优点。在此介绍了脉冲均匀调制的原理及其CPLD的设计实现,给出了CPLD程序模块图以及仿真波形和试验结果,证明了本设计的可行性。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出离线式绿色环保模式脉宽调制 (PWM) 控制器,可提高电源应用效率,同时还可最大限度地降低其空间占用与系统成本。UCC28610 的频率与峰值电流调制可在满负载条件下实现 85% 的效率,并在整
1 概 述 目前UPS主要发展方向有两个:一是新的功能不断加强,例如增加远程监视、自动诊断、识别、事件记录、故障警告等功能;二是自身效率的提高。采用高效率的IC芯片和新的制造工艺,使空载功耗不断地降低,