新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。

完全自保护式低压侧MOSFET（Diodes）

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。

为您的电源选择正确的工作频率

随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理课题提出一些对您有帮助的小技巧。该专栏面向各级设计工程师。无论您是从事电源业务多年还是刚刚步入电源领域，您都可以在这里找到一些极其有用的信息，以帮助您迎接下一个设计挑战。

同级最佳共模抑制光电耦合器解决方案（飞兆）

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制 (common mode rejection, CMR) 光电耦合器解决方案，型号为 FOD3120 和 FOD3150。这两种产品是输出

全新系列高电压降压控制器（NS）

美国国家半导体公司 (NS)宣布推出四款全新的高电压非同步降压控制器，其完备的功能特性主要包括：适用于极高的输入电压，可以提供卓越的脉冲宽度调制(PWM)控制，而且还可减少电磁干扰（EMI）。 这几款高度集成

全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封

LCD TV超级IP应用的解决方案

LCD TV超级IP应用的解决方案 Solutions for LCD TV Super IP Applications 飞兆半导体公司 在现今的 LCD TV 逆变器设计中，设计人员往往希望能找到效率高但成本最低的解决方案。采用传统的拓扑结构很难在不增加成本的情况下提高效率。超级逆变器或高压逆变器正是针对这一问题的一个可行的解决方案，因为这些解决方案省掉了主输出所需要的整流线路。

半桥MOSFET驱动器（研诺）

研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech）宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低

新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二极管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其

兼容802.3af/802.3at的PoE接口控制器（Linear）

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个 802.3af/802.3at 兼容的以太网供电 (PoE) 接口控制器 LTC4265，该器件用于需要高达 25.5W 功率的大功率受电设备 (PD) 应用。在 2003 年，IEEE 802.3af 标准定

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。

表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45

反激式控制器（Linear）

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式控制器 LT3751，该器件可将大型电容器迅速充电至高达 1000V。LT3751 驱动一个外部 N 沟道 MOSFET，可在不到 1 秒钟的时间内将一个 1000uF 电容器充电至 500

单片机控制的小型发电机逆变电源的研制