3月11日,三星电子中国区总经理唐国庆一行来到深圳市洲明科技股份有限公司进行参观考察,双方高层就战略合作展开了座谈会议,合作主要在LED照明业务领域展开。 三星此次到访洲明,是继去年12月在杭州招
据韩联社报导,三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产,SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实,往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
21ic讯 空气产品公司(Air Products) 宣布公司再次赢得了三星电子有限公司的一项重要合同,为后者在西安的芯片厂提供全套大宗特种气体以及化学品输送系统。根据合同,空气产品公司设计并建造大宗特种气体供应系统,并
消息人士周四透露,美国白宫正在测试三星电子和LG电子的智能手机手机用于内部使用,这威胁到黑莓最后、最备受瞩目的势力范围。据悉,白宫内部技术团队和白宫通信机构(负责奥巴马总统通讯的军事部门)正在对相关的设
据韩联社报导,三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产,SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实,往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
LED半导体照明网讯 3月11日,三星电子中国区总经理唐国庆一行来到深圳市洲明科技股份有限公司进行参观考察,双方高层就战略合作展开了座谈会议,合作主要在LED照明业务领域展开。 三星此次到访洲明,是继去
显示器经过前几年的沉寂之后,现在步入了多飞速发展期,各类显示器如雨后春笋般涌入市场。显示器的应用面变的非常广泛,同时显示器的针对性也比较强了。显示器的各大部件都有所改变,面板、屏幕都有很好的提高,分辨
据韩联社报导,三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产,SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实,往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
来自业内的消息,随着品牌和白牌手机厂商为了提升中低端手机市场份额而采用4核芯片,8核处理器在所有手机处理器中所占比例仍然很低。该消息称,虽然三星电子对其8核手机的销量持乐观态度,Galaxy S5的出货量是否能赶
3月17日消息,据台湾电子时报报道,来自业内的消息,随着品牌和白牌手机厂商为了提升中低端手机市场份额而采用4核芯片,8核处理器在所有手机处理器中所占比例仍然很低。该消息称,虽然三星电子对其8核手机的销量持乐
3月11日,三星电子中国区总经理唐国庆一行来到深圳市洲明科技股份有限公司进行参观考察,双方高层就战略合作展开了座谈会议,合作主要在LED照明业务领域展开。 洲明科技携手三星电子达成战略合作 三星此次到访洲明,
作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4GbDDR3DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,开创了内存存
由于大陆触控面板市场快速成长,大陆业者采用新材料的速度又比南韩快,加上在智慧型手机与平板电脑领域大陆业者逐渐占有一席之地,这使得南韩材料与设备业者,也开始向大陆集结。ETNews引述南韩业界消息,指出三星电
三星电子成功量产20纳米DRAM,展示了在半导体领域的主导地位。三星电子3月11日发布称“公司在全球率先启动了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产工作”。1纳米等于十亿分之一米,20纳米仅相当于头发丝粗细的2500分之
1、三星电子量产20纳米4Gb DDR3三星电子近日宣布正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,创新性地研发出“改良版双重照
三星电子日前宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构
据韩联社3月12日消息,由于中国产电池最近几年出现过质量问题,因此在三星Galaxy系列手机锂电池出现鼓包现象后,有猜测称问题电池可能来自中国。但一项最新调查显示,向三星电子提供部分不良电池的生产商Elentec的电
全球智能手机市场上两个最大的冤家就是三星和苹果。从曾经的榜首之争到后来的专利大战,双方的交火从不乏看点,而各自的得与失也是彼此交错。近日,根据美国法院的最新判决,苹果被判获得约9.3亿美元(折合人民币56.9
作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4GbDDR3DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,开创了内存存
作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,开创了内存