用招就要用妙招,今天来教大家几个电流检测电路的巧妙技巧。要知道在电源等设备中通常需要做电流检测或反馈,电流检测通常用串联采样电阻在通过放大器放大电阻上的电压的方
一、H桥驱动电路图1中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠
本文主要讲了一下关于3V-5V电平转换电路图,下面一起来学习一下:如图左端接3.3VCMOS电平,可以是STM32、FPGA等的IO口,右端输出为5V电平,实现3.3V到5V电平的转换。现在来
上图是一款激光电筒电路图,电路非常简单,就一电池,电阻,三极管就搞定。激光电筒价廉物美,有极高的性价比,主要特点是聚光性能优良,射距达1200m~1500m,肉眼观察,数
本文将介绍的声光数字电平检测器电路是用一块555时基集成电路和少量外围元件组成的声光数字电平检测器电路。该检测器实际使用效果良好,制作简便。当探针A悬空时,三极管BG
本文主要讲了一下单管共射放大电路的相关知识,希望对你的学习有所帮助。一、晶体管放大电路的概述由三极管组成的放大电路,它的主要作用是将微弱的电信号(电压、电流)放大
本文从五个方面对 三极管测量经验及技巧进行了总结。在消化了各种三极管的测量方法之后,不妨通过阅读此篇文章来进阶自己的技巧。希望大家在阅读过本篇文章之后能够有所收获
一、晶体管工作的条件1.集电极电阻Rc:在共发射极电压放大器中,为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号),需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来,当集电极电流
一、推挽输出:可以输出高、低电平,连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。
可控硅(晶闸管)原理图可控硅T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成可控硅的主电路,可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接,组成可控硅的控制电路。
如图所示为三极管电路图,以NPN为例,Ib:指代基极B流到发射极E的电流。Ic:指代集电极C流到发射极E的电流。基本表现原理:放大:集电极流出的电流会受到基极电流的控制,基极电流很小的变化就会引起集电极电流很大的
以NPN型硅三极管为例,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就
放大电路的核心元件是三极管,所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种类较多,我们用常用的几种来解说一下(如图1)。图1是一共射的基本放大电路,一般我们
本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。三极管饱和问题总结:1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使
开关器件在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能,此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件,此时三极
一般我们在做电路设计时候,三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别:首先是三极管是用电流控制,MOS管属于电压控制;然后就是成本问题,三极管便宜,MOS管贵;其次
MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区
三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。
放大电路的核心元件是三极管,所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种类较多,我们用常用的几种来解说一下(如图1)。图1是一共射的基本放大电路,一般我
遥控电门锁由三部分组成。遥控器电路,接收电控电路。电控锁部分由锁身和锁头组成。锁身电磁线圈接入直流12V,由继电器控制其通断。 电路原理如下:遥控器由主人随身携带,