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HOLTEK新推出HT68R2420红外线驱动OTP MCU
Holtek红外线驱动MCU新增OTP MCU HT68R2420成员，为Flash MCU HT68F2420的延伸产品。内建高精准度振荡电路与红外线发光二极管驱动电路，可不须外挂振荡器及三极管，达到有效节省外部元件成本及提高生产良率，适用于各种红外线遥控器及红外线传输相关产品应用。
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如何使用数字万用表判断出三极管的极性和类型？
三极管种类大致分2种，一种NPN型三极管，另外一种为PNP三极管。三极管由2个PN结组成。因此，我们可以将三极管看作由2个二极管组成。通过下图可以知道，三极管的公共端为B极(基极)。
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如何使用数字万用表测量三极管，有什么方法？
数字式万用表由于使用方便，读数准确深受人们喜爱，在现代电工电子测量中获得广泛应用。但是由于人们对传统指针式万用表很熟悉
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三极管的工作原理是怎样的
三极管是一种重要的电子元件，具有三个电极，包括一个发射极、一个基极和一个集电极。与二极管相比，三极管具有更高的放大和开关能力，因此在电子设备和电路中得到广泛应用。本文将深入探讨三极管的工作原理、应用及在电子工程中的重要性。
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如何用万用表判断三极管的好坏
在电子设备中，三极管是一种非常重要的半导体元件。三极管具有三个电极，分别为基极(B)、集电极(C)和发射极(E)，其作用是放大和开关电流。然而，由于三极管的复杂性，检测其好坏并非易事。
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基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应
对于温度参数，比较典型的就是三极管的导通电压Ube，Ube会随着环境温度的升高而降低，硅三极管的Ube室温下约为0.7V。资料显示，硅三极管发射结正向压降的变化量是每增加1℃，Ube就降低2.5mV。我经常看到下面这个电路，并联一个二极管来降低三极管的受温度的影响，当Vbe下降或上升时，二极管VD1会有同样的温度特性，这样基级偏置电流Ib变化就很小了。
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电路分析：两个三极管搭建的24V转12V案例
大家好，我是蜗牛兄，今天跟大家探讨一下技术群里一位小伙伴发出来的电路。
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教你怎么使用三极管, 对信号进行可控倍数的放大
前几天在录制三极管放大原理的时候，发现自己在做三极管放大的时候，不能够对三极管的放大倍数进行控制。经过了几天的思考与学习，现在终于找到了解决的方案，同时也发现了三极管放大中的一些陷阱。以下为本人这几天的学习总结。总结的主要内容是讲解三极管的无偏置放大电路以及三极管的有偏置放大电路。其中无偏置电路主要是分析该电路的设计方法以及分析该电路的缺陷；而有偏置电路同样是分析其放大设计方法，同时有偏置放大电路是可以实现可控性放大的，但是其设计过程会存在陷阱。本总结的第二部分即记录了我在设计三极管偏置电路的过程中所犯下的错误，以导致我不能够实现可控放大。而在第三部分主要是纠正的过程，最后实现了可控性放大。
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通报批评
如何设计一个无偏执电压的三极管放大电路。其中讲到，设计一个三极管放大电路的主要工作就是设计三极管的静态工作点。
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你好，三极管、电容
主要讲解了三极管的放大电路设计（包括无偏执放大电路设计以及有偏置放大电路设计）以及三极管的工作特性（如：E极输出特性、C极输出特性、工作管脚特性等），并根据其特性对三极管进行了电路应用说明（包括反相器的设计、线性稳压电路的设计、钳位功能的实现、如何利用三极管降低系统损耗等），最后还对运放的内部工作原理进行详细的讲解。
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新的里程碑：项目二——“你好，三极管、电容”结题
三极管教程是基于项目一的基础（用可调电阻来理解三极管的工作原理），对三极管的放大原理进行了更详细的说明。告诉大家三极管放大的实质是：“小信号对大信号的控能量制过程”，而并非是“小信号变为大信号的能量转换过程”。
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每日一句
记得我在刚刚接触三极管放大的时候，会经常想：整个三极管放大电路用的是单电源直流供电，然而在实际工作中，还会出现负电压？最近实验室中的小伙伴也开始因为这个问题而怀疑人生了。
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每日一句
输入端的耦合电容主要是为了与前级进行直流隔离，这点今天不详细讨论。我们今天注重看C极输出的耦合电容。在现实中，我们按图1所示接线，扬声器最终是能够放出声音的。这也就说明这时三极管能够对音频输入进行信号放大。
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智能寻迹小车硬件教程
自动寻迹小车视频主要分为三部分：1、项目的原理分析；2、三极管的基础知识；3、电路实战设计；
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三极管初级教程——即将开录
本期的三极管初级教程主要是讲解三极管的基本用途：开、关 以及 放大作用。同时还涉及到电容的充放电的工作原理讲解。另外，根据三极管其中的导通特性，举例讲解三极管在电路设计中的注意事项，同时通过举例，讲解三极管在实际的电路中应该如何分析,以及在设计的过程中，应该如何计算电阻参数。另外，还通过公式以及信号的推演，帮助新手理解三极管的放大过程。
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选择三极管时应重点关注哪些参数？(1)
上周说开始盘三极管，周末我专门花时间去研究了小伙伴的留言，又去翻了模电的书，目的是寻找好的切入点。去翻课本，发现课本上总是会从三极管的发展历程讲起，谈谈三极管的物理构成，分析内部载流子的传输过程，电流的分配关系等等。这些都是偏理论性的，不太符合硬件微讲堂的调性，我们要偏工程性，结合应用，贴近实战。所以，我们直接上面试题吧……
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最全！盘点20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃
MOSFET作为不可替代的基础性产品，被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下， MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高，无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低压，中压，高压MOSFET，工作温度最高可达175℃，推动研发项目快速国产化选型。
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三极管概述
双极性晶体管(英语：bipolar transistor)，全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT)，俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
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晶体管概述
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
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三极管概述
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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