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三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250、EXB8系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用
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电力系统用三相UPS的设计
1引言在电力系统中，为了保证对供电可靠性要求较高的重要设备能正常工作，发电厂、变电站均应安装UPS。随着电力电子技术的发展，对容量要求也越来越大，大容量的UPS都是三相的[1],因此对三相UPS的需求也逐渐增多。发
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基于HybridPACK 2 IGBT模块的HybridKIT三相逆变器系统解决方案
逆变器系统的开发步骤 用于HybridPACK2的HybridKIT的完整结构图如图1所示。HybridPACK2是一种典型的支持三相逆变器的6管IGBT产品。设计中需考虑的主要事项和挑战如下： 逆变器系统采用的直流母线支撑电容，
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基于HybridPACK 2 IGBT模块的HybridKIT三相逆变器系统解决方案
逆变器系统的开发步骤 用于HybridPACK2的HybridKIT的完整结构图如图1所示。HybridPACK2是一种典型的支持三相逆变器的6管IGBT产品。设计中需考虑的主要事项和挑战如下： 逆变器系统采用的直流母线支撑电容，
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基于HybridPACK 2 IGBT模块的HybridKIT三相逆变器系统解决方案
逆变器系统的开发步骤 用于HybridPACK2的HybridKIT的完整结构图如图1所示。HybridPACK2是一种典型的支持三相逆变器的6管IGBT产品。设计中需考虑的主要事项和挑战如下： 逆变器系统采用的直流母线支撑电容，
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基于IR2132的单芯片电源供电三相逆变器的设计
0 引言 逆变器已广泛用于交流电气传动、UPS等许多技术领域中，其主电路开关器件常采用IGBT或MOSF、ET等全控型器件，该类器件的开关动作需要靠独立的驱动电路来实现，并要求驱动电路的供电电源彼此隔离(如单相
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IR2132驱动器及其在三相逆变器中的应用
提出了IR2132驱动器在三相逆变器中的应用。采用数字信号处理器对电源系统进行全数字控制，通过改变PWM波形的脉冲宽度和调制周期可以达到调压和变频的目的。采用功率MOSFET和IGBT专用驱动芯片IR2132驱动三相桥式逆变电路。介绍了IR2132驱动电路的特点、内部结构、工作原理和基于IR2132构成的三相逆变电路结构，并提出了一种新型实用的预制相位PWM数字控制方案，取代了传统的模拟驱动电路和模块化桥臂电路设计，降低了开发成本，并融合了多元化的保护功能使逆变电源系统的驱动电路变得简单可靠。
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IR2132驱动器及其在三相逆变器中的应用
提出了IR2132驱动器在三相逆变器中的应用。采用数字信号处理器对电源系统进行全数字控制，通过改变PWM波形的脉冲宽度和调制周期可以达到调压和变频的目的。采用功率MOSFET和IGBT专用驱动芯片IR2132驱动三相桥式逆变电路。介绍了IR2132驱动电路的特点、内部结构、工作原理和基于IR2132构成的三相逆变电路结构，并提出了一种新型实用的预制相位PWM数字控制方案，取代了传统的模拟驱动电路和模块化桥臂电路设计，降低了开发成本，并融合了多元化的保护功能使逆变电源系统的驱动电路变得简单可靠。
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基于SA868设计的超小型变频器技术
研制的变频调速器采用英国MITEL公司生产的变频调速集成芯片SA868为控制核心，输出调速所需的变频、变压的同步PWM波形，构成了驱动三相感应电动机的最简便的变频调速系统，当输入电压过高，三相逆变输出电流过大,该变
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基于SA868设计的超小型变频器技术
研制的变频调速器采用英国MITEL公司生产的变频调速集成芯片SA868为控制核心，输出调速所需的变频、变压的同步PWM波形，构成了驱动三相感应电动机的最简便的变频调速系统，当输入电压过高，三相逆变输出电流过大,该变
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电压源三相逆变器结构电路图
三相逆变电路图:
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以单一DSP控制多重三相逆变器
多数新型电机控制方案均利用数字信号处理器（DSP）为电机的矢量控制提供所需的计算能力。由于矢量控制需要相当强大的处理能力和外围资源，因而迄今为止的设计经验仍主张每台逆变器和电机都拥有专门隶属于自己的DSP控制器。
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以单一DSP控制多重三相逆变器
多数新型电机控制方案均利用数字信号处理器（DSP）为电机的矢量控制提供所需的计算能力。由于矢量控制需要相当强大的处理能力和外围资源，因而迄今为止的设计经验仍主张每台逆变器和电机都拥有专门隶属于自己的DSP控制器。
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电压源三相逆变器结构电路图
三相逆变电路图:
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IR推出三相逆变器驱动器集成电路
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR2136三相逆变器驱动器集成电路系列，适用于变速电机驱动器设计。新器件集成了6个MOSFET或IGBT高电压栅驱动器，并融合多元化的保护功能，系统
