2014年IC行情:半导体大厂走势窥探!转眼间,一年又过去了,我们踏入一个新的年份,在半导体行业里,过去的一年依然是风起云涌,暗战不断。不但在产品性能上进行提升,同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场终端产
大陆政府传出拟提拨一年人民币1,000亿元补贴额度,投入IC设计、晶圆制造及封装测试等重点项目,近期大陆晶圆代工厂中芯与大陆最大封测厂江苏长电共同投资首条完整的12吋晶圆凸块(Bumping)生产线,半导体业者指出,大
大陆市场盛传官方将提供每年提供千亿人民币,重点扶持中芯、展讯、华为旗下海思等主要晶圆代工与IC设计业者。大陆业界普遍认为,政府补贴的执行面可能将分为两种方案,其一为单纯科研经费的补贴,第二种则为股权基金
“势者,因利而制权者”。这次“势者”的主角成为中国内地规模最大的集成电路晶圆代工企业中芯国际与国内最大的封装企业江苏长电科技,双方共同投资建立国内首条完整的12英寸5万片的凸块加工(Bumping)合资公司。中芯
大陆晶圆代工企业中芯国际和IC封测厂长电预备成立合资子公司,投入12吋晶圆凸块(Bumping)产线,据消息人士指出,中芯、长电目前凸块产线应设在深圳,邻近中芯原本拟于深圳设立的晶圆厂区,而非业界普遍猜测的北京1
大陆政府传出拟提拨一年人民币1,000亿元补贴额度,投入IC设计、晶圆制造及封装测试等重点项目,近期大陆晶圆代工厂中芯与大陆最大封测厂江苏长电共同投资首条完整的12吋晶圆凸块(Bumping)生产线,半导体业者指出,大
“势者,因利而制权者”。这次“势者”的主角成为中国内地规模最大的集成电路晶圆代工企业中芯国际与国内最大的封装企业江苏长电科技,双方共同投资建立国内首条完整的12英寸5万片的凸块加工(Bumping)合资公司。中芯
“势者,因利而制权者”。这次“势者”的主角成为中国内地规模最大的集成电路晶圆代工企业中芯国际与国内最大的封装企业江苏长电科技,双方共同投资建立国内首条完整的12英寸5万片的凸块加工(Bu
江苏长电19日董事会审议通过关于与中芯国际集成电路制造有限公司组建合资公司的议案。长电公告,为尽快进入国际国内一流客户的供应链,增强公司市场竞争力,推动和发展大陆的12寸晶圆凸块(Bumping)制造及先进封装业务
“势者,因利而制权者”。这次“势者”的主角成为中国内地规模最大的集成电路晶圆代工企业中芯国际与国内最大的封装企业江苏长电科技,双方共同投资建立国内首条完整的12英寸5万片的凸块加工(Bu
<汇港通讯> 中芯国际(00981)财务执行副总裁兼公司秘书龚志伟表示,该公司今年的资本性开支合共9.9亿美元,其中用于晶圆厂运作的资本开支约8.8亿美元;他称,虽然建厂计划涉资5.7亿美元,惟因中芯只占该项目55%,另外45%由其
香港文汇报讯(记者 卓建安)中芯国际(0981)执行董事兼首席执行官邱慈云表示,虽然去年第四季度公司销售收入按年下跌,但个人对今年公司经营审慎乐观,预计全年销售额有双位数字的增长。此外,中芯今年总体会加大旗
行动装置和物联网(IoT)带动半导体产业先进制程需求成焦点,大陆晶圆代工厂利用此机会试图再崛起,中芯国际绝对是焦点,尤其营运转亏为盈后气势大增,从宣示3DIC布局、28奈米技术,到建立后端封测,布局一一到位,看似
行动装置和物联网(IoT)带动半导体产业先进制程需求成焦点,大陆晶圆代工厂利用此机会试图再崛起,中芯国际绝对是焦点,尤其营运转亏为盈后气势大增,从宣示3DIC布局、28奈米技术,到建立后端封测,布局一一到位,看似
大陆晶圆代工厂中芯国际与当地封装服务供应商江苏长电科技将成立12吋晶圆后端Bumping产能的合资公司,打造大陆当地的IC生产制造供应链,半导体业者认为,中芯已开始复制台积电建立后端封测产能的模式,在行动装置带动
行动装置和物联网(IoT)带动半导体产业先进制程需求成焦点,大陆晶圆代工厂利用此机会试图再崛起,中芯国际绝对是焦点,尤其营运转亏为盈后气势大增,从宣示3D IC布局、28奈米技术,到建立后端封测,布局一一到位,看
大陆将砸大钱!大陆近期将推出10年总规模达5千亿元(人民币,下同)的产业基金,打造半导体上、中、下游产业链,希望在十二五规划结束时(2015年),半导体产业规模翻一翻,达到4千亿元以上。而面对台湾半导体产业仍未从窘
香港文汇报讯 (记者 黄子慢) 中芯国际(0981)宣布正式进入28纳米工艺时代。28纳米工艺拥有来自中芯国际设计服务团队以及多家第三方IP合作夥伴的100多项IP,可为全球集成电路(IC)设计商提供包含28纳米多晶硅(PolySiO
力旺(3529)宣布,与中国晶圆代工厂中芯国际,共同宣布,已联手扩大在非挥发性记忆体技术上的发展布局,合作制程涵盖0.35微米至40奈米等,横跨NeoBit、NeoFuse、NeoEE与NeoMTP等单次与多次可程式嵌入式非挥发性记忆体
力旺(3529)宣布,与中国晶圆代工厂中芯国际,共同宣布,已联手扩大在非挥发性记忆体技术上的发展布局,合作制程涵盖0.35微米至40奈米等,横跨NeoBit、NeoFuse、NeoEE与NeoMTP等单次与多次可程式嵌入式非挥发性记忆体