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新型CMOS图像传感器原理及应用
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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新型CMOS图像传感器原理及应用
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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新型CMOS图像传感器原理及应用
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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激光位移传感器原理及应用
前言 激光位移传感器能够利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光位移传感器（磁致伸缩位移传感器）就是利用激光的这些优点制成的新型测量仪表，它的出现，使位移测量的精度、
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激光测距传感器原理及应用
一、传输时间激光距离传感器的发展激光在检测领域中的应用十分广泛，技术含量十分丰富，对社会生产和生活的影响也十分明显。激光测距是激光最早的应用之一。这是由于激光具有方向性强、亮度高、单色性好等许多优点。
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简单介绍直线位移传感器原理与使用要求
前言随着电子技术的发展，工业应用领域对生产过程中精度控制的要求不断提高，使得直线位移传感器（光电式传感器）得到了快速的发展。由于直线位移传感器不仅更易优化生产流程，良好地保证生产质量，而且降低了生产成
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双面接触式电容压力传感器原理介绍
1 引言 图1给出了典型的双面接触式电容压力传感器的一般结构及其工作的模拟仿真曲线。从图1可以看出，双面接触式电容压力传感器有4个工作区，第Ⅰ区是正常区，梁未接触到衬底上的绝缘层，当传感器工作在这一段时
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WB121高速宽带跟踪型电量隔离传感器原理及其应用
WB121高速宽带跟踪型电量隔离传感器原理及其应用在各种自动检测、控制系统中，常常需要对高速变化的交直流电流、电压信号作跟踪采集，对比较复杂的波形作频谱分析。这类信号可能是高压、大电流等强电，也可能是负载能
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WB121高速宽带跟踪型电量隔离传感器原理及其应用
WB121高速宽带跟踪型电量隔离传感器原理及其应用在各种自动检测、控制系统中，常常需要对高速变化的交直流电流、电压信号作跟踪采集，对比较复杂的波形作频谱分析。这类信号可能是高压、大电流等强电，也可能是负载能
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光栅式结构光传感器原理
本文主要讨论多线结构光传感器，即光栅式结构光传感器。 随着生产自动化水平的提高，人们对生产环节的监控水平的要求也越来越高，视觉检测系统能满足生产线上检测的实时性要求，并且具有一定的柔性，精度适中，因此得
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基于网络的智能精密压力传感器原理与应用
美国霍尼威尔(Honeywell)公司先后推出了PPT系列、PPTR系列和PPTE系列可实现网络化的智能精密压力传感器。这些传感器将压敏电阻传感器、A/D转换器、微处理器、存储器(RAM、E 2PROM)和接口电路集于一身，不仅达到了高性能指标，还极大地方便了用户。这些产品可广泛用于工业、环境监测、自动控制、医疗设备等领域。
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新型CMOS图像传感器原理及设计
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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新型CMOS图像传感器原理及设计
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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新型CMOS图像传感器原理及设计
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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力平衡加速度传感器原理设计
本文介绍了一种力平衡加速度传感器的原理设计方法。
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