1 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件,它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的
如图所示过欠电压保护电路由一片“六施密特触发器CD4584”组成,当发生市电电压过电压或欠电压时,一方面发出警笛声,同时通过继电器切断被控电路的工作电源。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e
如图所示电路是用WB705多端可调正集成稳压器组成的输出电压为5 V、输出电流为l.5 A的限流型保护电路的应用电路。这个电路的最大输入电压为16.8 V,最小输入电压为l2.1 V。Cl和C2是滤波电容,可根据电流的大小选择
如图所示是用WB718多端可调正集成稳压器 组成的输出电压为l5 V、输出电流为2 A的减流型保护电路的应用电路。图示电路的输入电压可选择30~32 V,滤波电容和防振电容等均与限流型应用时相同。取样电阻Rl和R2的选取由
多数电源中的过流、过压保护是在故障发生后电源停止工作,输出为零,然后人工复位重新工作;或者只有暂保护,即故障发生后电源停止输出,延时一段时间后,电源自动恢复工作。但在许多装置中,要求其电源同时具有暂保
对于器件的非标准使用(如MAX2140接收器的热插拔操作)中出现的问题,我们需要用相应的方法来解决。为了成功实现器件的非标准使用,必须在Maxim支持和同意的情况下,对产品进行认真的设计和合理的测试。
如图所示为LM4910的静电放电(ESD)保护电路。LM4910的6脚(Vo3)静电放电极限值为10kV,当瞬间静电放电超过极限值时,就有可能损坏芯片。该电路在Vo3输出端(耳机插座)加了一个双瞬态稳压管,用于抑制静电放电,以保
在同一开关电源电路中,设计多种保护电路的相互关联和应注意的问题也要引起足够的重视。
功率放大电路是一种能量转换电路,要求在失真许可的范围内,高效地为负载提供尽可能大的功率
7月6日18:00消息,针对手机电池爆炸致死事件后7月4日广东省工商局公布的手机电池质量抽查结果,摩托罗拉公司向新浪科技发来声明称抽查结果中被认定为“问题电池”的均系假冒摩托罗拉品牌的电池产品。以下为
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用
低压电源线上的瞬变电压幅值有时能达到标称电压的许多倍。这种情况常常要求对设备保护防止有人使用不适当的功率电平。防止敏感电路过电压的常用方法是增加并联嵌位电路。保险丝或其他限流器件处于这些嵌位电路的高能吸收能力之前。
新型低边功率MOSFET增加达46伏汽车和工业系统的稳定性、减少电路板空间并降低整体成本安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ONNN)进一步拓展其经济高效的高性能功率MOSFET系列,推出新系列的自护式SmartDiscrete