1概述 根据我国国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)的数据显示,2011 年我国LED 行业总规模达到1560 亿元,同比增长30%,预计到2015 年,半导体照明将占据通用照明市场30% 的份额,半导体照明产业规
科锐(Nasdaq: CREE)宣布白光功率型LED实验室光效达到303 lm/W,再度树立LED行业里程碑。科锐取得这一标志性的研发成果,超过了于一年多年宣布的276 lm/W行业研发最高记录,并且比原先预计的时间大大提前。&
科锐(Nasdaq: CREE)宣布白光功率型LED实验室光效达到303 lm/W,再度树立LED行业里程碑。科锐取得这一标志性的研发成果,超过了于一年多年宣布的276 lm/W行业研发最高记录,并且比原先预计的时间大大提前。
科锐(Nasdaq: CREE)宣布白光功率型LED实验室光效达到303 lm/W,再度树立LED行业里程碑。科锐取得这一标志性的研发成果,超过了于一年多年宣布的276 lm/W行业研发最高记录,并且比原先预计的时间大
科锐(CREE)白光高功率型白色发光二极体(LED)达每瓦(W)303流明(lm)里程碑,超越前一代研发每瓦276流明的产业最佳纪录,两项突破仅相隔1年。科锐共同创办人暨先进光电总经理John Edmond表示,科锐将继续追求LED获得市场
LED半导体照明网2014年3月27日讯 科锐宣布白光功率型LED实验室光效达到303lm/W,再度树立LED行业里程碑。科锐取得这一标志性的研发成果,超过了于一年多年宣布的276lm/W行业研发最高记录,并且比原先预计的
2014年 3月 27日,科锐(Nasdaq: CREE)宣布白光功率型LED实验室光效达到303 lm/W,再度树立LED行业里程碑。科锐取得这一标志性的研发成果,超过了于一年多年宣布的276 lm/W行业研发最高记录,并且比原先预计的时间大大
LED半导体照明网讯 2014年1月18日,由中国科学院科技促进发展局主持召开的“低热阻高光效半导体照明关键技术”科技成果鉴定会在中科院半导体研究所举行。成果鉴定会上,由清华大学周炳琨、北京大学甘子钊、
更高光效功率型LED 再次彰显科锐行业领先地位 LED照明领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行业最高纪录,达到276 lm/W。该项纪录打破了科锐在去年4月取得的254 lm/W研发
功率型LED封装基板作为热与空气对流的载体,其热导率对LED的散热起着决定性作用。DPC陶瓷基板以其优良的性能和逐渐降低的价格,在众多电子封装材料中显示出很强的竞争力,是未来功率型LED封装发展的趋势。随着科学
来自Philips LumiLEDs 的全新功率型LED 体积缩小80%,为新一代照明解决方案提供极佳的设计灵活性 加利福尼亚,圣何塞发表的全新相较于传统功率型体积缩小,是现今公司最小的。伴随仅为的底部尺寸和包括白光在内的,从
来自Philips LumiLEDs 的全新功率型LED 体积缩小80%,为新一代照明解决方案提供极佳的设计灵活性 加利福尼亚,圣何塞发表的全新相较于传统功率型体积缩小,是现今公司最小的。伴随仅为的底部尺寸和包括白光在内的
从实际应用的角度来看,安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。由小功率LED组成的照明灯具为了满足照明的需要,必须集中许多个LED的光能才能达到设计要求,但
从实际应用的角度来看,安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。由小功率LED组成的照明灯具为了满足照明的需要,必须集中许多个LED的光能才能达到设计要求,但
2012年4月12日,中国北京讯 — LED照明领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行业最高纪录,达到254 lm/W。该项纪录打破了科锐在去年初取得的231 lm/W研发成果,再次
2012年4月12日,中国北京讯 — LED照明领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行业最高纪录,达到254 lm/W。该项纪录打破了科锐在去年初取得的231 lm/W研发成果,再次
一、引 言 常规LED一般是支架式,采用环氧树脂封装,功率较小,整体发光光通量不大,亮度高的也只能作为一些特殊照明使用。随着LED芯片技术和封装技术的发展,顺应照明领域对高光通量 LED产品的需求,功率型LED逐
一、引 言 常规LED一般是支架式,采用环氧树脂封装,功率较小,整体发光光通量不大,亮度高的也只能作为一些特殊照明使用。随着LED芯片技术和封装技术的发展,顺应照明领域对高光通量 LED产品的需求,功率型LED逐
论文以热应力理论为依据,模拟了LED 瞬态温度场和应力场分布的变化,并与实测的LED 基板底部中心温度变化情况进行了对比研究;并分析了瞬态温度场和应力场的对应变化关系;模拟研究了键合层材料导热系数对LED 结温和最大等效应力的影响;计算了基板顶面平行于X 轴路径上热应力、应变及剪应力的变化趋势,论文的研究对LED 的封装热设计具有意义。
论文以热应力理论为依据,模拟了LED 瞬态温度场和应力场分布的变化,并与实测的LED 基板底部中心温度变化情况进行了对比研究;并分析了瞬态温度场和应力场的对应变化关系;模拟研究了键合层材料导热系数对LED 结温和最大等效应力的影响;计算了基板顶面平行于X 轴路径上热应力、应变及剪应力的变化趋势,论文的研究对LED 的封装热设计具有意义。