如图所示为TDA8350Q的测试电路,该电路是在推挽功率放大器输出端用电阻作为假负载替代偏转线圈进行测试。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX; obj.height=newY;
如图所示为TDA8357J/8359J的测试电路。该电路是在推挽功率放大器输出端用电阻作为假负载替代偏转线圈进行测试。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX; obj.height=newY
麦景图275功放级的功放电子管采用KT88或6550来担任,每个声道输出可达60W,非线性失真不大于1%,频率响应从20Hz~30KHz,为±0.5dB。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX;
整机的输入灵敏度为0.6 V,输入阻抗大于100KΩ,每声道额定输出功率为20W+20W,失真系数优于1%,信噪比为85dB,频率响应从10Hz~40KHz±1dB。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width
当推挽功放管采用KT88、6550、KTl00时,其输出功率可达60W+60W;如推挽功放管采用EL34、6CA7时,其输出功率为40W+40W;女H推挽功放管采用6P3P、6L6时,其输出功率为30W+30W。 function resizeImage(evt,obj){ new
Axiom Microdevices有限公司近日宣布:中国手机设计制造商经纬科技(Ginwave Technologies)有限公司,广泛使用AX502四频GPRS互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)到其多款手机中。 这里所指的Axiom Mic
如图所示为厚膜集成块功率放大电路。由图(a)可知,输入信号通过阻容耦合电路(电阻为33kΩ,电容为4.7μF)送入STK3048的同相输入端,经厚膜功放块STK3048放大后,由其输出端(引脚5、6)加到功放管Q1、Q2的基极。功放采
如图所示为2W×2音频功率放:该电路采用了双集成运放LM1877作为放大器件。由图可知,电路为上、下对称结构,有两路信号分别加到LM1877的两个运放的同相输入端,其输出端外接方式相同:由2.7Ω电阻和0.1μF的电容组成
蜂窝通信的发展与先进调制方案的关系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中,设计策略包括实现高线性度同时把功耗减至最小的方法。
如图所示为2W×2音频功率放:该电路采用了双集成运放LM1877作为放大器件。由图可知,电路为上、下对称结构,有两路信号分别加到LM1877的两个运放的同相输入端,其输出端外接方式相同:由2.7Ω电阻和0.1μF的电容组成
设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35 μm双层多晶硅工艺实现,驱动32 Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70 dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100 MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3 V电源电压下,电压输出摆幅为2.7 V.
本文系统分析了射频CMOS功率放大器的设计方法,并基于TSMC 0.35μm RF工艺设计了一种工作频率在2.4GHz,电源电压为3.3V的三级CMOS功率放大器。