据业内消息,近日Infineon在匈牙利采格莱德建立了一家全新的大功率半导体模块的组装和测试工厂,目的主要是用于扩充大功率半导体模块的产能,同时推动世界减排以及新能源汽车的进程。
随着苹果新一代的140W氮化镓(GaN)快充面世,GaN进一步走进了大众视线。GaN具备超过硅20倍的开关速度,3倍的禁带宽度。天然的优势可以让整体的电源设计功率密度更高,让整体电源方案体积和重量更小。但GaN作为一种新材料器件,要发挥其真正的优势,仍需要很多的新的技术积累来支撑...
增加GaNSense™技术,全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护,为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性
意法半导体发布了MasterGaN的首个参考设计,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,简化产品设计,缩短上市时间。
据昨日报道,我国成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片,该芯片实验室来自重庆邮电大学。
在东海汽车测试技术中心举办的“2020年博世汽车与智能交通技术创新体验日”上,博世特别展示了其碳化硅和智能座舱域控制器解决方案。“博世,不仅是一家汽车零部件公司,同时也是半导体公司”。
“从未对创新懈怠,保持着一贯的技术迭代步伐。”这是三菱电机半导体在60余年的漫长征程里彰显出来的企业气质。
在实体经济项目中有几个重大项目引人注意,包括富士康功率芯片工厂建设项目、天岳高品质4H-SiC单晶衬底材料研发与产业化项目、天岳碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目等。
HT45B0016是Holtek公司针对无线充电发射端(TX)开发的二合一半桥功率芯片。内建Half-Bridge的Gate Driver以及NMOS,搭配HT66FW2230 / HT66FW2350实现无线充电TX完整方案。
HT45B0016是Holtek公司针对无线充电发射端(TX)开发的二合一半桥功率芯片。 内建Half-Bridge的Gate Driver以及NMOS,搭配HT66FW2230 / HT66FW2350实现无线充电TX完整方案。