功率

功率MOS剖析(一)

(1)：等效电路 (2)：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详

在动力系统中增加48V直流（DC）总线

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基于XE162FN单片机的智能机器人设计方案

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基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计

功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、无二次击穿现象和

如何使用带有模拟接地层和功率接地层的开关稳压器？

如何使用带有模拟接地层(AGND)和功率接地层(PGND)的开关稳压器?这是许多开发人员在设计开关电源时会问的一个问题。一些开发人员已习惯于处理数字接地层和模拟接地层;然而，

IGBT开通过程分析(一)

IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作

面向SoC的20 V输入、20 A解决方案

用于工业和汽车系统的先进SoC(片上系统)解决方案的功率预算不断增加。后续每一代SoC都会添加高功率需求器件并提高数据处理速度。这些器件需要可靠的功率，包括0.8 V(用于内

模块化UPS的系统架构的两种旁路方案的介绍

近来跟一些业内客户交流，某厂家的模块化UPS有一个奇妙的功能，就是单个功率模块可以单独作为完整UPS使用，并列为一大卖点。看来市场营销也要与时俱进，这不就是以前的&ldq

芯片晶体管是实现技术详解

1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念，而是数个billion。2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺，Fin Pitch小于 50nm，可以说是技术上的一个飞跃

新型液晶彩电易损IC：PLC810P技术介绍

PLC810P是一款集成有半桥驱动器的连续模式PFC和LLC控制器，具有功率因数校正(PFC)与开关电源驱动双重功能，内置振荡器、相位校正电路、斜坡发生器、基准电压发生器、过流/过

基于CP212X的TFT模组电源解决方案

本文介绍了采用低成本、高效率的升压型电源管理芯片CP212X系列产品实现多路正负电源输出，结合TFT模组供电的需求，给出了基于CP212X实现的TFT模组供电系统方案，文中详细讨

使用高能效的RF功率使用高能效的RF功率放大器能降低高数据速率移动通信系统的运营成本能降低高数据速率移动通信系统的运营成本

高数据速率移动通信系统需要使用高能效的RF功率放大器(PA)，以便帮助降低网络的运营成本。然而，由于最新蜂窝标准中所用复杂调制方案的峰值平均功率比(PAR)较高，转而要求发

基于SystemC的存储器模型设计与性能分析

建立芯片模型是在早期进行芯片架构决策的有效方法，通过建模不仅可以对芯片的性能做出分析，还可以在硬件没有完成之前开发软件，不仅提高了产品成功率，而且缩短了研发周期

关于工业电机驱动的IGBT，你想知道的都在这里

摘要 ：工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体

AC-DC电源适配器的行业标准你知道哪些

AC/DC变换器是将交流变换为直流，其功率电流流向可以是双向的。功率电流流向负载的变换称为“整流”，功率电流由负载传输回电源的称为“有源逆变”。A

开关电源实际布线过程中要考虑各种接地问题(二)

Layout需要注意的问题：●不同的功率地线需要单独走线●尽量不要平行走线●尽量减少环路面积●必须遵循“短，粗，直”的原则;因功率地线的di/dt较大，太长的线天

一文了解冷却器的原理

冷却器是换热设备的一类，用以冷却流体。通常用水或空气为冷却剂以除去热量。有间壁式冷却器、喷淋式冷却器、夹套式冷却器和管式冷却器等。广泛用于大功率硅整流和感应炉及

博通提供业界第一种低功率多媒体处理器BCM2727的样品

晶振为什么要加电容

晶振一般叫做晶体谐振器，是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。这种晶体有一个很重要的特性，如果给他通电，他就会产生机械振

启动用线绕电阻可靠性

用线绕电阻|0">电阻来做启动电阻，但是可靠性不好，这是很多公司会遇见的问题。 一般启动电阻主要考虑的不仅仅是额定功率|0">功率，更重要的是耐冲击能力。但是一般情况