功率

继电保护测试仪使用方法 主要做哪些试验？

使用方法一、正确步骤分为主回路和辅回路两个回路，主回路采用大旋钮调节，辅回路采用小旋钮调节，主回路通过面板上“输出选择“按键开关控制其输出的各种量，并

噪声、外加功率及测量时间的考量——低功率纳米技术

要考虑噪声误差，理想的测试系统的信噪比应为100。图9显示了不同阻值的测试对象在半秒的测试时间内，为使电压响应达到方根噪声值的电压响应时，所需要的外加测量功率。这些曲线分别是使用锁定放大器[1]法及直流反转法

基于CPLD控制的直流固态功率控制器的设计

一文读懂开关电源如何配合适的电感

开关电源的主要部件包括：输入源、开关管、储能电感、控制电路、二极管、负载和输出电容。目前绝大部分半导体厂商会将开关管、控制电路、二极管集成到一颗CMOS/Bipolar工艺

关于智能天线的提出、工作原理和分类以及TD-SCDMA在智能天线中的技术优势详解

智能天线技术是TD-SCDMA(时分同步码分多址)中的关键技术之一。文中主要介绍了智能天线的提出、工作原理及分类，并分析了智能天线在TD-SCDMA中的技术优势。TD-SCDMA(TIme Di

IGBT是什么_IGBT结构及工作原理介绍

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的

SiC MOSFET的快速短路检测与保护

功率器件有多种不同的短路模式，其中最严重的一种是桥臂短路，在这种短路模式下，电流迅速上升，同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研

浅谈“非主流”光伏技术（九）：组件和逆变器的搭配

前言：在与很多设计院进行技术交流时发现，设计人员在逆变器和组件的匹配上还是略显保守;有的直接按照厂家所谓的“超配”系数来设计组件串并联。在笔者看来这样的

简单高效的恒功率驱动IC方案

轻松判断射频系统中的功率增益和电压增益

我听到越来越多的客户在问“通过不同负载阻抗的信号链的增益是如何变化的?”;“当以dB测量时，电压增益和功率增益何时重合?”若你们中的任何人有相同的

SiC功率器件的封装技术

具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件的最高工作温度局限在1

专用示波器和软件提高开发测试效率方案

为了满足效率和外形尺寸要求，开关模式电源制造商不断采用新的半导体和电路拓扑，同时还须坚持遵守更高的电源完整性标准。因此，设计人员必须对开关模式波形进行更为复杂的

CPLD在基于PCI总线功率模块设计中的应用

功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制

RF FEM如何扩大用于IoT短程无线电系统

低功耗蓝牙和 zigbee 等广泛使用的 2.45 GHz 短程无线电系统是特别适合物联网 (IoT) 应用的成熟技术。虽然此频段中的无线电确实具有良好的穿墙能力和覆盖范围特性，但在某些

DC/DC电源转换器设计原理介绍

当今利用现有的组件、参考设计、工具和资源来设计一个基础且好用的DC/DC电源稳压器(或称为电源转换器)已经不是一件难事了，设计者需要将合适的控制IC、MOSFET晶体管、驱动电

开关模式电源电流检测—— 第三部分：电流检测方法

开关模式电源有三种常用电流检测方法是：使用检测电阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用电感的直流电阻(DCR)。每种方法都有优点和缺点，选择检测方法时应予以考虑。检测电阻电

IGBT扫盲文，IGBT基础与运用知识学习

IGBT基础与运用IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和

基于D类功率放大的高效率音频功率放大器设计

一文读懂有源元件和无源元件的区别

简单地讲就是需能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号