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半导体商Tower宣布3200万美元出售华虹10%股份

以色列半导体制造商Tower半导体公司近日宣布将以3200万美元现金价出售公司所持有的华虹半导体公司的10%股份.华虹半导体公司是上海华虹NEC电子有限公司的母公司。2008年五月份，Tower公司吞并Jazz半导体公司的同时，取

中芯国际危局 为利夺权

江上舟尸骨未寒，国内规模最大半导体芯片代工企业中芯国际( 以下简称“中芯”)已无可避免地陷入一场权力争夺的旋涡。 6月29日中芯发表公告称，公司董事长兼独立非执行董事兼审核委员会成员以及公司授权代表江上舟

网曝中芯国际王宁国德能不足 张文义非江上舟所请

据知情人士透露，中芯国际的内部矛盾的起源、COO杨士宁和部分股东对CEO王宁国很深的不满，其症结在于德能不足以服人的王宁国本人，和他一连串任用私人亲信的做法。而挽救王宁国地位并可能担任董事长的张文义，也并非

读者揭秘:中芯国际内争的真相

最近几天有好几篇评论中芯内争的报道。由于中芯目前还是国内最大的半导体企业，许多人对它寄予厚望，不希望它出现内斗，影响它的发展。甚至有人想当然尔地认为，是国内某股东偏好中芯某一派系，在老董事长刚去世，“

中芯国际内斗激战 保王派占上风

中芯国际权力斗争愈演越烈，公司在悬缺最高领导董事长、执行董事的情况下，于2日召开董事会，据了解，会中7席董事，至少以4票多数通过，推举中投国际董事长张文义出任执行董事。这项结果也意味，大股东大唐为代表执

王宁国临危受命助中芯

曾任应用材料副总裁 【明报专讯】王宁国去留未定，但似乎他每次的「出走」都在业界引起关注。 名下拥有100多项专利的他是美籍华人，曾经是全球最大半导体设备供应商美国应用材料公司执行副总裁，当时在矽谷是职务最

中芯国际董事长江上舟27日突辞世 张文义或继任

中芯国际董事长江上舟于27日上午因病去世。报道援引消息人士的话称，江上舟曾患有癌症，本次突然去世应与病情复发有关。分析人士称，将于6月30日进入中芯国际董事会的原电子工业部副部长张文义，或将继任中芯国际董事

中芯董事会将增两位新成员 本周四将正式上任

不出意外的话，中芯国际董事会成员本周四起将有所变动。这意味着，随着中芯新的投资方进入，公司决策权开始重新分配。 中芯国际董事会明日举行股东周年大会，除重选两名董事王宁国、高永岗（将连任）外，还将增

中芯董事长江上舟面临退休 公司决策权将变动

王如晨不出意外的话，中芯国际董事会成员本周四起将有所变动。这意味着，随着中芯新的投资方进入，公司决策权开始重新分配。中芯国际董事会明日举行股东周年大会，除重选两名董事王宁国、高永岗(将连任)外，还将增加

中芯国际人事将变动

不出意外的话，中芯国际董事会成员本周四起将有所变动。这意味着，随着中芯新的投资方进入，公司决策权开始重新分配。中芯国际董事会明日举行股东周年大会，除重选两名董事王宁国、高永岗(将连任)外，还将增加两名新

华虹CDR30LB-CDR150WB电热水器电路图

华虹CDR30LA-CDR150WA电热水器电路图

窥看国内晶圆代工大亨下一步要干啥

作为大陆第一家8英寸晶圆厂，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)在国内专业集成电路晶圆代工方面有着非常成熟的经验。通过近期华虹NEC在深圳举办的2011年全球巡回技术研讨会(深圳站)，《电子系统设计》小

江门光博会达成55个LED项目协议

在近日举行的首届中国江门绿色光源国际博览会上，西铁城、真明丽、奥伦德、德力西等逾160家企业共达成55个项目协议，投资总额达117亿元人民币。其中超10亿元项目2个，包括德力西集团投资38亿元在江门市高新区建设LED

王宁国：中芯国际要用最短时间做到30亿美元

王宁国，美国加利福尼亚大学伯克利分校材料科学及工程系博士，拥有30多年的半导体行业经验，是全球半导体业内著名资深专才，享有很高的声誉和影响力。2005年9月至2007年6月，王宁国回到中国大陆担任华虹集团有限公司

王宁国：中芯国际要用最短时间做到30亿美元

王宁国，美国加利福尼亚大学伯克利分校材料科学及工程系博士，拥有30多年的半导体行业经验，是全球半导体业内著名资深专才，享有很高的声誉和影响力。2005年9月至2007年6月，王宁国回到中国大陆担任华虹集团有限公司

王宁国：SMIC要用最短时间做到30亿美元

个人简历 王宁国 王宁国，美国加利福尼亚大学伯克利分校材料科学及工程系博士，拥有30多年的半导体行业经验，是全球半导体业内著名资深专才，享有很高的声誉和影响力。2005年9月至2007年6月，王宁国回到中国

华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台进入量产

世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产，成为

华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台成功进入量产

世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT（沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管）工艺平台成功进入量产，成为国内第

Synopsys和华虹NEC合作推出低功耗参考流程3.0

中国上海，2011年4月25日—全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS），以及中国大陆领先的IC代工服务供应商上海华虹NEC电子有限