(中央社记者钟荣峰台北2011年10月5日电)IC晶圆和成品测试厂京元电子(2449)自结9月营收新台币9.5亿元,比8月10.02亿元月减5.19%,比去年同期11.92亿元减少20.23%。 京元电自结1到9月营收87亿元,比去年同期109.26亿
(中央社记者钟荣峰台北2011年10月4日电)在主要客户联发科(2454)订单成长带动下,IC晶圆和成品测试厂京元电子(2449)第3季营收可望逼近新台币30亿元,预估比第2季成长近8%。 法人指出,京元电9月营收有机会突破10亿
周德国EU PVSEC展后,太阳能产业对Q4市况看法仍是相当保守,国内太阳能矽晶圆厂商旭晶(3647)董事长郭彦辰表示,旭晶目前每股净值为22元,但在兴柜股价已不到9元并不合理,且即便太阳能市况短期保守,但旭晶包括在手现
面板大厂友达光电(2409)旗下友达晶材继中港园区动土建厂之后,公司于4/11又宣布,将于中部科学园区后里基地兴建第2座太阳能晶片厂,并已举行第1期工程动土典礼。预计机台设备将于今年11月份进驻,明(2012)年第一
AntarisSolar公司的ASM及ASP系列光伏组件日前获得了美国保险商实验室(UnderwritersLaboratories)的认证。此前,该公司的组件还获得了德国测试组织TÜVNord的质量及安全验证。ASM系列高效率单晶硅电池板输出功率超
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于
IC设计大厂晨星(3691)继2010年于全球电视晶片市场拥有超过50%市场占有率后,在STB机上盒晶片的部分,晨星表示,公司于中南美洲市场推出符合当地特殊规格要求、且内建晨星自有开发的Ginga软体平台的机上盒解决方案,并
日本一个研究团队近日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平板显示器等大面积电子设备所
总投资50亿元的湖北宜都市红花套光伏产业园首条生产线日前试产成功,首批3根8英寸单晶棒正式下线。红花套光伏产业园项目由湖北九州方园新能源有限公司投资建设,采用的关键设备全部由国外进口,中国可再生能源协会光
日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。 新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平板显示器等大面积电
深圳晶蓝德灯饰有限公司的产品主要集中在LED灯饰、led照明二个方面。晶蓝德自1999年成立以来灯饰产品在业界着不错的口碑,发展亦非常稳定。由于LED整体市场的快速发展,晶蓝德除LED照明发展势头非常好外,还在进行大
日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110,“明确了追赶GaN类产品的前进道路”(东北大学原子分子材料科学高等研究机构
唐山锐晶光电科技股份有限公司蓝(白)光led产业化一期蓝宝石单晶制造项目,日前正式开工。唐山锐晶LED蓝宝石单晶项目,引进蓝宝石长晶炉、晶片切磨抛等先进生产设备,主要生产蓝宝石单晶等产品。 据悉,该项目总投资4
近日,锐晶光电总投资4.5亿元人民币蓝(白)光led产业化一期蓝宝石单晶制造项目,在河北省唐山市玉田县举行开工仪式。 该项目是玉田县唐山玉螺水泥有限责任公司进行二次创业而谋划建设的战略性新兴产业项目,依讬河北
据日媒报道,日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍,是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 据研究小组介绍,制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法,并开发出了不使用
美国普渡大学(Purdue University)的研究人员们研究出一种能够改善石墨烯单晶体阵列的制造方法,使其能实现类似于矽晶生产的方式与品质。 「以矽晶所实现的高品质量产观点来看,石墨烯尚未到位,但在迈向这一发展方向
据日媒报道,日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示,此项
据日媒报道,日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示,此