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Vishay发布业界首个系列超小型SMD红外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遥控系统的新款系列超小型SMD红外接收器。该系列器件是业界首个采用两个光敏二极管及专利技术内部金属EMI屏蔽的产品，超薄封装的厚度仅为2.35mm。TSOP75xxxW采用无
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方形表面贴装薄膜电阻网络（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款方形精密薄膜表面贴装电阻网络 --- QFN系列器件。器件采用20脚的5mm x 5mm方形扁平无引脚封装，端子间距和厚度分别为0.65mm和1mm。与传统的20引脚SOIC封装相比
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新系列钽外壳液钽电容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器 --- 136D。对于高可靠性应用，136D器件可在-55℃～+85℃温度范围内工作，在电压降额的情况下可在+200℃下工作
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新款小尺寸多层陶瓷贴片天线（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款用于移动设备的高性能多层陶瓷贴片天线 --- VJ 3505和VJ 6040，可覆盖470MHz～860MHz的整个UHF波段。利用Vishay独特的材料和制造技术，新款Vishay Vitramon贴片
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也谈企业人才发掘
编者按：看了很多网友的回帖，内心深处有很多话要说，所以忍不住要写这篇文章，我不由得感到博文不是“写”出来的，而是有感而发。但因为今天应邀去深圳拜访比亚迪研究院的罗总，所以只好就此停笔，后续还将推出“销
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65纳米144-Mbit SRAM（赛普拉斯）
赛普拉斯半导体公司推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM，该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存储器采用65纳米工艺技术，由台湾联华电子（UMC）的芯片
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全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
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全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
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采用GAL器件的电子密码锁电路
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中国本土IC品牌：低端为主，仍需努力
单从公司的数量上来说，中国绝对可以称得上全球IC设计产业中“非常重要”的一股力量。在全球1,800家IC设计公司中，至少有四分之一是来自中国。然而从公司营收数字上来看，IC Insight评选的2008年全球Top 50无晶
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PM5422 META 20G器件(PMC-Sierra)
PMC-Sierra宣布推出 PM5422 META 20G器件，该产品可使电信级以太网交换机与路由器 (CESR) 设备无缝连接至新兴城域光传输网络 (ITU-T G.709 OTN)。全球电信运营商均正向 OTN 网络的过渡，以优化 IP 业务的传输。META
