spartan3E XC3S500E 芯片上标识含义 ======== XC3S500E FGG320DGQ070 A1439696A1 4C KOREA ======== (1C3S是spartan的代号,XC3S500E 表示器件型号 (2)500表示500k,是系统门的数目.通俗地讲就50万门
随着现代电子技术的发展,带有各种微处理的现代电子设备已广泛应用于国民生产的各行各业中。但随着设备功能越来越强大,程序结构越来越复杂,指令代码越来越长,加之现场工作环境的干扰,设备失控,程
增强型PIC实验板上DS1302器件的接口电路,需要将软件和硬件相结合进行考虑如何来编程,完成该实验的硬件原理图如下图所示,U2为实验板上DS1302芯片,“I/O”与单片机的RB5口相连,“SCLK”与单片机
爱特公司(Actel Corporation)宣布推出世界首个智能型混合信号FPGA器件SmartFusion,该产品现正投入批量生产。SmartFusion器件带有Actel经过验证的FPGA架构,该架构包括基于ARM Cortex-M3硬核处理器的完整微控制器子系
爱特公司(Actel Corporation)宣布推出世界首个智能型混合信号FPGA器件SmartFusion,该产品现正投入批量生产。SmartFusion器件带有Actel经过验证的FPGA架构,该架构包括基于ARM Cortex-M3硬核处理器的完整微控制器子系
引 言 实时视频处理技术广泛应用于高速公路,治安卡口,十字路口等监控管理领域,对自动化和智能管理有着重要的作用,视频监控技术也正向智能化发展。随着科学技术的不断发展,产品的更新换代也在加速,对监控装置的
IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)日前宣布,推出 IDT VersaClock 计时系列器件最新产品,VersaClock 低功耗器件是一种可编程时钟生成器,专为电池供电的消费应用设计,包括智能手机、个人导航设备、MP
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布,CGV高速数据转换器系列新增两款低成本、低功耗演示板,新产品采用了莱迪思半导体公司生产的LatticeECP3器件。新演示板旨在证明恩智浦CGV转换器与莱迪思ECP3 FPGA系列器件
Hittite 微波公司是通信及军用市场的世界级供应商,可提供完整的基于单片微波集成电路解决方案。日前,Hittite公司全新推出4款高速逻辑器件HMC720LP3E, HMC721LP3E, HMC722LP3E, 及 HMC723LP3E,丰富了其不断增长的
主要FPGA供应商已经开始销售集成了硬核处理器内核的低成本FPGA器件,SoC类FPGA器件最终会成为主流。为能够充分发挥所有重要FPGA的灵活性,这些器件提供了FPGA设计人员和软件工程师还不熟悉的新特性。设计人员需要考虑
导读:本文采用可编程、混合讯号电源管理组件,对‘电源管理PLD’进行标准化并在整个系统电路板上采用该组件,因而降低了成本、增加了可靠性并加快了产品上市时间。 电源管理一般是指涉及电路板供电方面的相关问题。
目前采用两个电极片对称覆盖治疗人体部位的电子治疗仪,是通过电极片上的脉动电压与治疗人体部位电阻产生作用,在治疗部位产生人体能够感知的脉动电流,刺激神经肌肉,使其
自动控制的对象五花八门、品种繁多,要求控制器能够模块化、标准化、灵活配置;进入商品经济时代,允许设计者的开发周期越来越短,从几年、几月缩短到几月、几天;有时合同临近结束前,用户还会提出更改
日前,由中科院苏州纳米所牵头承办的第608次香山科学会议在苏州举行,来自国内外的40多位专家学者参会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质集成与界面调控”,中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海担任本次大会的执行主席。
Silicon Labs(亦称“芯科科技”)日前推出磁性传感器产品组合,带领现代化霍尔效应传感技术进入21世纪,提供业内领先的电源效率、最佳的灵敏度、灵活的I2C配置,以及内置攻击检测和温度传感器。
近日,北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。
泰克科技公司近日在重庆成功举办了“新型材料、器件与半导体集成电路测试测量技术研讨会” ,希望促进新材料技术科研与产业的对话,促成材料与器件产业链良性互动发展。
熟悉电子电路设计的朋友一定都知道,在电源整体设计中存在一些发热非常严重的器件,如整流桥、MOS管、快恢复二极管这些器件。而在功率电源中,电感和高频变压器则成为了发热
宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告,展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果,以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得的现场评估的结果是一致的,证明在商业化的功率开关应用中,eGaN FET已经准备好可以替代日益老化的等效硅基器件。
设计开关电源并不是如想象中那么简单,特别是对刚接触开关电源研发的童鞋来说,他的外围电路就很负责,其中使用的元器件种类繁多,性能各异。要想设计出性能高的开关电源就