1 引言 长期以来,直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。 特别随着计算机在控制领域,高开关频率、全控型第二代电力半导体器件
对于电子产品来说,制程的提升意味着性能、体积和功耗同时变得更好,所以很多半导体厂商都在制程提升上做出很多努力。近日,东芝提出了16nm制程工艺的方法。目前大多数存储芯片处于30nm制程,而逻辑电路更是在42nm制
场效应管驱动定时循环闪光电路图:
MOSFET功放电路主要应用于大功率AV电路中。如图所示为100W的MOSFET功放电路。该电路的输入级采用JEFT输入型运放TL071,其输入阻抗大、转换速率高。VTl和VT3为运放TL071的互补恒流源负载。VT4和VT5组成典型的推动级,
如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET,电流镜像电路采用2SK214。其工作电流为6mA,但电源电压较高(为±50V),晶体管会发热,因此要接人小型散热器。 functi
提出了一种新型抑制浪涌电流电路,给出了实际设计方案。
针对普通压电作动器行程较短的缺点,提出一种具有Cymbal结构的复合压电陶瓷作动器的结构设计。