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士兰微电子获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖
此次士兰微电子获奖的SGTP40V120FDB2P7芯片采用了第五代场截止(Field Stop V)工艺制作，其创新的超窄台面工艺技术、超薄晶圆工艺技术和多层复合场截止技术等，能够实现较低的导通损耗、开关损耗和高速关断能力以及宽反向安全工作区范围，产品性能达到国际先进水平，可大范围应用于光伏逆变、UPS、PFC等领域。
此次士兰微电子获奖的SGTP40V120FDB2P7芯片采用了第五代场截止(Field Stop V)工艺制作，其创新的超窄台面工艺技术、超薄晶圆工艺技术和多层复合场截止技术等，能够实现较低的导通损耗、开关损耗和高速关断能力以及宽反向安全工作区范围，产品性能达到国际先进水平，可大范围应用于光伏逆变、UPS、PFC等领域。
