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多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力，并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验，进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过104次重复编程和擦除循环后，MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验，计算出分别在100、125和150 ℃条件下3个样品的数据保持时间，并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合，计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。
