存储密度

纳米存储10年内实现商业化 将改写IT产业

一些大学的研究人士预言，很快我们就可能看到存储技术上获得突破，在一个硬币大小的面积上存储250张DVD的内容。因为不久前美国伯克利加利福尼亚大学和马萨诸塞大学安姆斯特分校的科学家已经找到了一种新的方法，能让

存储密度最高的ARM9标准微控制器（ST）

意法半导体（ST）扩大其基于ARM966E-S内核的STR91xFA系列微控制器的片内闪存容量，推出两款闪存容量为1.1MB和2.1MB的新产品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI内核的标准微控制器市场上创下存储密度的最高记录。

存储密度最高的ARM9标准微控制器（ST）

意法半导体（ST）扩大其基于ARM966E-S内核的STR91xFA系列微控制器的片内闪存容量，推出两款闪存容量为1.1MB和2.1MB的新产品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI内核的标准微控制器市场上创下存储密度的最高记录。

日立掌握4TB容量硬盘技术，2011年将普及

我国超高密度信息存储再创“世界之最”

不久前，我国科学家研制出迄今世界上信息存储密度最高的有机 材料，将信息存储点的直径缩小到了０．６纳米，从而在超高密度信息存储研究上再创“世界之 最”，保持了从１９９６年起就占据的国际领先地位。