摘要: VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM),可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理,其次详细
作者:王鑫,王烈洋,占连样,陈像,张水苹,汤凡,黄小琥,李光摘要VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大容量数据进行高速存取
进入下半年,形势已经很明朗,全球集成电路行业将在2017年迎来大丰收,与年初相比,市场调研机构给出的最新预测都大幅上调了增长预期。IC Insights在最新预测中就表示,20
在当今竞争激烈的形势下,使富含嵌入式软件的复杂电子设备更快面市,但是同时确保其更便宜更可靠,是一种相当冒险的做法。未经彻底测试的硬件设计不可避免地导致返工,增加
在当今竞争激烈的形势下,使富含嵌入式软件的复杂电子设备更快面市,但是同时确保其更便宜更可靠,是一种相当冒险的做法。未经彻底测试的硬件设计不可避免地导致返工,增加
如果有几个设置参数需要存储到Flash中,我们一般会怎么存储呢?将不同的参数都存储到不同的页中,还是将这几个参数捆绑成一种结构体,每次修改都同时写入一次呢? 将参数存
当人们提到安防网络化应用时大多想到的是网络监控摄像机,其实监控系统的构成不仅限于前端产品,若没有后端的存储设备,那么庞大的图像数据也只能成“浮云”。与
IDC曾作出预测,在未来将会有更多的新应用是对云环境而特别设计的,而这些虚拟化和云应用的敏捷性需要通过多个存储系统连为一体而实现。所谓存储联合,可减化额外的虚拟化设
为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了,一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?…,等等,问了那么多为什么,那我反问一个问题:你了解Nand Flash的特
随着游戏与视讯应用在行动装置上的普及,以及手机处理器性能的提升,eMMC的性能已经不能满足行动装置对于内存读写性能的要求,新一代的通用闪存储存(UFS)规格应运而生。在高
在高速数字接口中,并行总线越来越少。原因很简单,随着系统频率的提升,并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈,抖动、串扰、信号偏移、传输路径不完美等因素,都将大幅
行业专家认为,对于一个典型的大型数据中心而言,其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。对于数据中心服务器,高功率密度的原因之一在于存储器子系统。
随着集成电路制造工艺水平的提高,半导体芯片上可以集成更多的功能,为了让产品有别于竞争对手的产品特性,在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯
全球数据量的猛增使得存储日益成为一个更独立的专业问题,越来越多的企业开始将存储作为单独的项目进行管理。同时,持续增长的数据存储压力带动着整个存储市场的快速发展。
自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的
1、主存储器概述(1)主存储器的两个重要技术指标◎读写速度:常常用存储周期来度量,存储周期是连续启动两次独立的存储器操作(如读操作)所必需的时间间隔。◎存储容量:通常
一般而言,存储虚拟化的实现方式通常分为三种:交换架构虚拟化,磁盘阵列虚拟化,以及整合到应用设备内的虚拟化。对于三种不同的虚拟化方式,存储供应商都有各自的独门兵器
近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。本文将为你阐述嵌入式存储器的前世今生。
VSS (Volume Shadow copy Service, 卷映射拷贝服务),最初是在Windows Server 2003 SP1中引入的存储技术。它通过在卷管理模块上加入快照功能,在此基础上就可以创建基于时
高性能系统设计师在满足关键时序余量的同时要力争获得更高性能,而存储器接口设计则是一项艰巨挑战。双倍数据速率SDRAM和4倍数据速率SDRAM都采用源同步接口来把数据和时钟(