-
“云存储”理念深度剖析
全球数据量的猛增使得存储日益成为一个更独立的专业问题，越来越多的企业开始将存储作为单独的项目进行管理。同时，持续增长的数据存储压力带动着整个存储市场的快速发展。
-
LSI闪存加速卡提高虚拟桌面密度和性能
LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布，其正与VMware进行密切合作，为部署VMware Horizon View™带来了突破性的虚拟桌面密度。与VMware Horizon View的协作测试采用了单一的
-
Vista 的存储技术揭密-VSS
VSS (Volume Shadow copy Service, 卷映射拷贝服务)，最初是在Windows Server 2003 SP1中引入的存储技术。它通过在卷管理模块上加入快照功能，在此基础上就可以创建基于时
-
提高存储器子系统效率的三种方法
行业专家认为，对于一个典型的大型数据中心而言，其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。对于数据中心服务器，高功率密度的原因之一在于存储器子系统。
-
专家观点：对USB安全性的质疑毫无根据
最近SRLabs的两位研究人员 Karsten Nohl 和 Jakob Lell 所发布的研究报告受到了许多媒体的关注。这份研究报告试图证明 USB 装置如何成为恶意软体进入电脑和可携式电子平台
-
武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对该项目的技术先进性
-
赛普拉斯的异步SRAM产品系列又添新丁
具有片上错误校正代码的低功耗MoBL器件横空出世。与没有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的数据可靠性提高了几千倍，同时可延长手持式设备的电池工作时间。静态随机存取存储器
-
美光M600 SSD全面提升便携式计算体验
美光科技有限公司(纳斯达克股票代码：MU)今日宣布推出下一代客户端级固态硬盘M600 SATA SSD。该产品采用美光尖端的NAND闪存技术，满足了当代移动计算应用的存储需求，包括
-
SK海力士业务重整 DRAM、NAND等目标并进
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士将把事业重心放
-
第二季全球DRAM产值成长9% 韩商称霸
全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示， 2014年第二季全球 DRAM 产值达108亿美元，较上季成长9%。由于产品比重调配得宜，三大DRAM厂获利能
-
三星、东芝竞扩产，NAND Flash恐跌三成
全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最新报告预测，NA
-
旺宏与Spansion的全球专利诉讼与争议已达成和解
全球非挥发性闪存领导厂商旺宏电子(TSE: 2337) 与Spansion公司 (NYSE：CODE) 近日宣布，双方就全球的专利诉讼及争议已达成和解，包括美国国际贸易委员会(US International
-
闪迪宣布支持全闪存VMware Virtual SAN 6架构
闪迪第二代Lightning SAS SSD和CloudSpeed SATA SSD的初步性能测试结果显示，新架构每分钟可执行两百万次交换(TPM)全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司(纳斯达克股票
-
中国成为富士通FRAM最大市场，电表工控汽车等领域全面开花
近五年之内，一些新型的非易失性存储器技术如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不断涌现，但达到出色市场量产业绩的只有FRAM。那么现如今FRAM在中国的应用进展如何?在哪些更多的应用
-
三星与SK海力士达成专利协议 提升移动芯片供货
液晶显示器件有这些无可比拟的优点，并且近儿年来液晶显示技术的不断发展和产品价格的不断降低，液晶显示器件正在得到越来越广泛的应用。而其应用领域也正向由过去小舰模、
-
8月NAND合约价 较上月跌近2成
根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬续跌5~10%，亦即8月合约价较7月重跌11~18%。集邦科技表示
-
HOLTEK推出HT24LC128新款大容量串行式EEPROM
HOLTEK推出新款串行式EEPROM产品 -- HT24LC128，使用两线式串行接口，总共有128K位内存容量，内存架构为16384 x 8位。HT24LC128的最快工作频率为400kHz，工作电压为2.2V至
-
2012年全球存储器模组厂营收排名
全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 根据记忆体营收部分发布 2012年记忆体模组厂排名调查，该年度全球模组市场总销售金额为55亿美元，较2011
-
三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升
韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿
-
三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需的可靠性。V-NAND固态盘
