泰克公司日前宣布,其扩展了多厂商校准服务能力,在射频功率、温度及医疗校准标准上有了大幅度提升。这意味着客户可以一站式解决大多数校准要求,降低成本的同时简化了校准流程。随着无线产品的爆炸式增长,对射频产
大功率射频(RF)功率晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体公司日前宣布已经售出超过1.75亿个塑料封装的高频大功率射频功率晶体管,达到了业界难以企及的里程碑高度。飞思卡尔的射频功率模压塑料封装凭借高性价比和可靠性
熟悉微电子工艺设备的人都知道,射频源(RFGENERATER)是半导体工艺不可缺少的设备,其主要应用于等离子体干法刻蚀设备。其原理是刻蚀气体 (主要是F基和C1基的气体)通过气体流量控制系统通入反应腔室,在高频电场(频
21ic讯 英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠
现代文化生活中,很多场合都有可能用到无线话筒。然而,人们对无线话筒的选择和使用仍然有很多误区,如有效工作距离,人们总认为射频功率越大,其工作距离就越远,可实际工作中往往发现并非如此。另外,厂商发布的技
近年来,随着3G技术的快速发展,在进行通信系统设计时,射频功率的控制和测量十分重要。本文以美国ADI公司的AD8318单片射频功率测量芯片为核心,设计了基于对数放大器检测方法的射频功率测量电路,该方法具有动态范围
近年来,随着3G技术的快速发展,在进行通信系统设计时,射频功率的控制和测量十分重要。本文以美国ADI公司的AD8318单片射频功率测量芯片为核心,设计了基于对数放大器检测方法的射频功率测量电路,该方法具有动态范围
摘要:随着3G通信技术的发展,在进行通信系统的设计过程中,射频功率的测量具有重要意义。从动态范围、频带宽度和线性度三方面分析了对数放大器检测法测量射频功率原理,论述了对数放大器检测法测量射频的优势,在此
摘要:随着3G通信技术的发展,在进行通信系统的设计过程中,射频功率的测量具有重要意义。从动态范围、频带宽度和线性度三方面分析了对数放大器检测法测量射频功率原理,论述了对数放大器检测法测量射频的优势,在此
21ic讯 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新系列射频(RF)功率晶体管。新系列产品采用先进技术,为政府通信、用于紧急救援的专用移动无线电系统以及L波段
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.与华为技术有限公司携手成立的首个射频功放联合研发及创新实验中心正式落户上海。恩智浦射频功率产品部总经理Reiner Beltman 和华为技术有限公司无线产品线中射频与基站平台部部
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市场分析公司Strategy Analytics公布的最新报告称,移动数据消费和下一代无线网络的部署正在不断推升每年蜂窝基站的部建数量和功率放大器的出货量,预计射频功率放大器设备2015年的收入将增至近10亿美元。 Strate
现代文化生活中,很多场合都有可能用到无线话筒。然而,人们对无线话筒的选择和使用仍然有很多误区,如有效工作距离,人们总认为射频功率越大,其工作距离就越远,可实际工作中往往发现并非如此。另外,厂商发布的技
关键字: 射频功率器件 2011 MTT-S 射频驱动灯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布启动首届高性能射
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出一款全新的线性均方根(RMS)射频功率(RF)检波器,它不但具有业界最高的精确度,而且动态范围可高达40dB。 这款型号为 PowerWise® LMH2120
1. 引言 本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计,使之更适用于射频功率放大器
1. 引言 本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计,使之更适用于射频功率放大器
NCS5000系列选择线性和非线性检测,覆盖了100MHz 至 3GHz的频率范围和-30dBm 至 +20dBm的输入功率范围内的功率检测要求