意法半导体(ST)深耕汽车市场已有30余年的历史,其产品和解决方案覆盖普通车辆的大多数应用系统。随着市场的发展,意法半导体的产品也在不断升级改进,其中的重要产品汽车微控制器(MCU)也不例外。
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150 ℃条件下3个样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。