-
带隙电压基准源的设计与分析
介绍了基准源的发展和基本工作原理以及目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结构的基准源电路，重点对自启动电路及放大电路部分进行了分析，得到并分析了输
-
一种采用二次曲率补偿的带隙基准源
1 引 言 带隙基准源广泛应用于各类集成电路|0">集成电路之中。在现代集成电路日益发展的今天，带隙基准源扮演了极其重要的角色。在A／D，D／A转换器以及一些模拟和数字
-
基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计
摘要：设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术，通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路，基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0．5
-
一种高PSR带隙基准源的实现
摘要：本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频时PSR
-
一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0．5 V的带隙基准源电路。该设计中，电路采用新型电流模带隙基准，解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题，且实现了较低的基准电压；增加了修调电路，实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证，其结果显示，当温度在-40～+120℃范围内变化时，输出基准电压的温度系数为15 ppm／℃；电源电压在2～4 V范围内变化时，基准电压摆动小于O．06 mV；低频下具有-102．6 dB的PSRR，40
-
一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0．5 V的带隙基准源电路。该设计中，电路采用新型电流模带隙基准，解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题，且实现了较低的基准电压；增加了修调电路，实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证，其结果显示，当温度在-40～+120℃范围内变化时，输出基准电压的温度系数为15 ppm／℃；电源电压在2～4 V范围内变化时，基准电压摆动小于O．06 mV；低频下具有-102．6 dB的PSRR，40
-
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源，工作电压为5～10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性，对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿，设计了一种输出电压为1．3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7．427pp-m／℃，在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0．022 mm2，适用于低压差线性稳压嚣等领域。
-
一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计
设计一种低温漂低功耗的带隙基准结构，在传统带隙基准核心电路结构上增加一对PNP管，两个双极型晶体管叠加的结构减小了运放的失调电压对输出电压的影响，降低了基准电压的温度失调系数。电路设计与仿真基于CSMC0．5μm CMOS工艺，经流片，测得室温下带隙基准输出电压为1．326 65 V，在-40～+85℃范围内的温度系数为2．563 ppm／℃；在3．3 V电源电压下，整个电路的功耗仅为2．81μw；在2～4 V之间的电源调整率为206．95 ppm。
