低功率因数的输入电源会增加电网的负担,同时也会影响 DC-DC 变换器的性能。低功率因数会导致输入电流与输入电压之间的相位差增大,从而增加 DC-DC 变换器的损耗。
插入损耗包括共模插入损耗和差模插入损耗两种。插入损耗越小,说明滤波器对输入信号的衰减程度就越低,滤波器的性能就越好。
今天,小编将在这篇文章中为大家带来计算开关损耗的方法的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对它具备清晰的认识,主要内容如下。
常用的变压器铁芯一般都是用硅钢片制做的。硅钢是一种含硅(硅也称矽)的钢,其含硅量在0.8~4.8%。由硅钢做变压器的铁芯,是因为硅钢本身是一种导磁能力很强的磁性物质,在通电线圈中,它可以产生较大的磁感应强度,从而可以使变压器的体积缩小。
永磁同步电机的损耗理论到实际
什么是电源IC技术中的容许损耗设计?它有什么影响?不论使用电源IC与否,使用IC时必须探讨热问题,切勿超过最大额定Tjmax(最大接合部温度/结温),并视情况进行散热设计。特别是电源IC等处理大功率的IC或晶体管上可以说是必须的探讨事项。针对“电源IC技术规格的解读方法”,本项接着说明“容许损耗”。
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。
什么是MOS管?它有什么特点?在常见的控制器电路中,MOS管有几个工作状态,而MOS 主要损耗也对应这几个状态,本文就来探讨一下MOS的这些状态的原理。MOS的工作状态分为:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。
你知道几个变压器绕线法?变压器就是电路的心脏,它的好坏影响了电路的90%的成功率。现在越来越多的攻城狮为了设计出更好的电源电路,都开始进行了自绕线,所以知道常用变压器的绕线结构就显得非常重要了!
你知道变压器容量的快速计算方法吗?一、如何选择变压器的额定电压与额定容量
开关损耗测试对于器件评估非常关键,通过专业的电源分析插件,可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估,相对于手动分析来说,更加简单方便。对于MOSFET来说,I2R的导通损耗计算公式是最好的选择。
随着社会的进步,科技的发展,人们对能源的需求越来越大,而现有的能源有限,需要人们不断发展新能源,而光能就是一个不错的选择,人们开始大力发展太阳能发电,而太阳能发电需要逆变器,逆变器是光伏电站的关键组成部分,在全球光伏电站爆发增长的近几年,集装箱式的逆变器方案迅速成为市场应用主流。那么问题来了,为什么是集装箱式逆变器方案?本文主要讲解逆变器的相关知识。
IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。
据国外媒体报道,松下于上周五发布了全新DZ21K2系列高端工程投影机,它们最大特点就是高亮度,专为高端市场应用而推。对于大家一直想要搞明白的家用投影机市场,松下到底是退出还是按兵不动,成为了一个谜。投影时代